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埋入式電阻容技術(shù)：薄膜材料Dk穩(wěn)定性與±5%公差控制方案
在5G通信、AI芯片等高速電路中，埋入式電阻與電容（埋阻埋容）技術(shù)通過將無源元件集成于PCB內(nèi)部層間，實(shí)現(xiàn)信號完整性提升與空間利用率優(yōu)化。某5G基站PCB因埋容材料介電常數(shù)（Dk）波動導(dǎo)致電容值偏差12%，引發(fā)信號反射損耗超標(biāo)。本文提出基于NiCr合金薄膜電阻與高Dk聚合物電容的協(xié)同優(yōu)化方案，通過材料配方改進(jìn)與工藝控制，實(shí)現(xiàn)Dk穩(wěn)定性±2%以內(nèi)、電阻/電容公差±5%的突破。
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在無數(shù)中國科技企業(yè)的帶動下，中國芯片也開始逆襲了！
由于當(dāng)前半導(dǎo)體晶圓工廠不斷增加，對于半導(dǎo)體在光刻工藝中所需的薄膜材料需求增加，加上部分半導(dǎo)體廠商致力于開發(fā)更為先進(jìn)的半導(dǎo)體材料進(jìn)一步增加需求
