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聯(lián)電將關閉旗下日本晶圓制造業(yè)務
臺灣晶圓代業(yè)者聯(lián)華電子周二(8月21日)表示，其董事會投票通過關閉其位于日本千葉縣館山的200mm晶圓廠UMC Japan（UMCJ)，以削減成本，應對目前困難的宏觀經(jīng)濟形勢和客戶需求下降局面。 “由于國際經(jīng)濟景氣及產(chǎn)業(yè)趨勢
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半導體派對 晶圓雙雄Q4高歌
德意志證券出具最新半導體報告，受到聯(lián)發(fā)科3G智能型手機芯片出貨優(yōu)于預期，加上2.75G智能型手機芯片需求也較預期強勁帶動，德意志證券預估，晶圓代工雙雄臺積電(2330)、聯(lián)電(2303)第四季營運表現(xiàn)將可望優(yōu)于原先預期，
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晶圓代工 格羅方德擠下聯(lián)電
市調(diào)機構ICInsights公布最新2012年晶圓代工廠排名預估，臺積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德(GlobalFoundries)擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營收差距預估將拉大到5.1億美元。至于臺積電眼中「可畏的對手」韓國三星電子
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晶圓代工 格羅方德擠下聯(lián)電
市調(diào)機構ICInsights公布最新2012年晶圓代工廠排名預估，臺積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營收差距預估將拉大到5.1億美元。至于臺積電眼中「可畏的對手」韓國三星電
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與聯(lián)電不同調(diào) 日月光不撤日本廠
聯(lián)電決定結束日本晶圓代工事業(yè)，強化經(jīng)營效率，同在日本也有設立后段封測生產(chǎn)線的日月光（2311）表示不會撤掉日本封測廠，主因與日本整合元件大廠合作現(xiàn)有合作伙伴訂單并沒有任何變化。 日月光表示，旗下日本廠原本
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晶圓代工 格羅方德擠下聯(lián)電
市調(diào)機構IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預估，臺積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營收差距預估將拉大到5.1億美元。 至于臺積電眼中「可畏的對手」韓國
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晶圓代工格羅方德擠下聯(lián)電
市調(diào)機構IC Insights公布最新2012年晶圓代工廠排名預估，臺積電穩(wěn)居龍頭，格羅方德（GlobalFoundries）擠下聯(lián)電成為晶圓代工二哥，與聯(lián)電間的營收差距預估將拉大到5.1億美元。至于臺積電眼中「可畏的對手」韓國三星電
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《半導體》聯(lián)電解散日子公司，Q3、Q4將認列損失
聯(lián)電(2303)決議結束日本晶圓制造業(yè)務，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。解散并清算UMCJ認列的資產(chǎn)減損將于第3、4季提列，預計將處分其它非核心事業(yè)之資產(chǎn)以降低影響。 聯(lián)電公司表示，由于國際經(jīng)濟景氣
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聯(lián)電關日本廠 減少認列損失
晶圓代工廠聯(lián)電昨（21）日董事會宣布子公司、也是日本晶圓廠「UMCJ」解散并進行清算。聯(lián)電表示，關廠后將可減少每季認列8億至10億日圓（約新臺幣3.7億元）的轉(zhuǎn)投資損失。 聯(lián)電2009年底透過公開收購，將原本是聯(lián)日半
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日半導體業(yè)崩解 UMCJ功成身退
晶圓代工廠聯(lián)電昨（21）日宣布，位于日本千葉縣館山的8寸廠UMC Japan（UMCJ），將進行解散并清算，此一動作正好與今年來日本半導體產(chǎn)業(yè)崩解情況，有了明確的呼應。對聯(lián)電來說，雖然UMC Japan并未帶來太大的效益，但仍
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聯(lián)電解散日本子公司UMCJ
日本生產(chǎn)環(huán)境不佳，晶圓代工廠聯(lián)電董事會今天決議，結束日本晶圓制造業(yè)務，解散并清算100%持股的子公司UMCJ。 聯(lián)電是于1998年取得新日鐵半導體部分股權，并負責經(jīng)營，隨后于2001年將新日鐵半導體更名為UMCJ；聯(lián)電
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聯(lián)電解散UMC Japan，Q3/Q4將認列業(yè)外虧損
聯(lián)電 (2303)今(21日)董事會通過，為整合制造資源并降低營運成本，決議結束日本晶圓制造業(yè)務，解散并清算直接持有100%股份之子公司UMC Japan。聯(lián)電表示，因解散清算所認列資產(chǎn)減損的業(yè)外損失，多會于今年第3、第4季認
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快在
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快在
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聯(lián)電欲藉由FinFET制程技術，領先對手臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快在
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補償電容器串聯(lián)電抗器的利與弊
0引言在感性負載兩端并聯(lián)電容器，這是電網(wǎng)最常用的無功補償方法，也是提高功率因數(shù)改善電壓質(zhì)量節(jié)能降損的有效措施。為滿足電網(wǎng)和用電設備對電壓質(zhì)量的要求，根據(jù)無功負荷變化而投切適量的電容量。然而在電容器投運合
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拚FinFET聯(lián)電可能搶先臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用FinFET制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起FinFET構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM簽署的授權協(xié)議，最快在2014年
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inFET聯(lián)電拚F可能搶先臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快在
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拚FinFET 聯(lián)電可能搶先臺積電
在晶圓代工領域一直居于臺積電(TSMC)之后的聯(lián)電(UMC)，可望藉由率先采用 FinFET 制程技術，領先其競爭對手一步。 盡管十年前，臺積電是最初發(fā)起 FinFET 構想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與 IBM 簽署的授權協(xié)議，最快
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德意志：半導體下2季訂單放緩 看好臺積電
德意志證券出具半導體產(chǎn)業(yè)報告表示，預估今年第4季至明年首季在庫存調(diào)整和需求影響下，訂單將放緩，待明年首季中旬由新庫存回補和28奈米產(chǎn)品看增，驅(qū)動基本面改善。 仍看好臺積電(2330)，列為首選，入股AMSL將對
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