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聯(lián)電去年Q4EPS 0.09元，全年0.63元
聯(lián)電(2303)今日召開(kāi)法說(shuō)會(huì)，公布財(cái)報(bào)。2012年第四季稅后凈利為11.7億元，季減51.5%，每股稅后獲利為0.09元。2012年全年EPS為0.63元。 聯(lián)電2012年第四季營(yíng)收為260.9億元，季減8.5%，年增6.8%。單季毛利率為16.8%，比
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聯(lián)電與頎邦共同開(kāi)發(fā)TPC電鍍厚銅制程
晶圓代工大廠聯(lián)電(UMC)針對(duì)電源管理晶片應(yīng)用產(chǎn)品，推出了TPC電鍍厚銅制程，該解決方案系由聯(lián)華電子與臺(tái)灣封裝廠商頎邦科技共同開(kāi)發(fā)，跟傳統(tǒng)的鋁金屬層相比，可提供更厚的銅金屬層以達(dá)到更高的電流，更優(yōu)異的散熱效果
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聯(lián)電與頎邦共同開(kāi)發(fā)TPC電鍍厚銅制程
晶圓代工大廠聯(lián)電 (UMC)針對(duì)電源管理晶片應(yīng)用產(chǎn)品，推出了TPC 電鍍厚銅制程，該解決方案系由聯(lián)華電子與臺(tái)灣封裝廠商頎邦科技共同開(kāi)發(fā)，跟傳統(tǒng)的鋁金屬層相比，可提供更厚的銅金屬層以達(dá)到更高的電流，更優(yōu)異的散熱效
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聯(lián)電攜手星科金朋搶進(jìn)3D IC技術(shù)市場(chǎng)
繼臺(tái)積電月初宣布與美商阿爾特拉（Altera）宣布共同開(kāi)發(fā)3D IC晶片（3 Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊積體電路）后，昨日，聯(lián)電也與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋（STATS ChipPAC）宣布，展示全球第一件在
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新臺(tái)幣貶值將帶動(dòng)半導(dǎo)體廠毛利升1.2%
新臺(tái)幣今年以來(lái)貶值1.8%，這對(duì)半導(dǎo)體廠來(lái)說(shuō)卻是個(gè)大大的好消息。德意志證券預(yù)估新臺(tái)幣1月以來(lái)的貶幅將帶動(dòng)半導(dǎo)體廠毛利率上升1.2個(gè)百分點(diǎn)，其中受惠程度最好的有聯(lián)電、臺(tái)積電、欣興、立锜、矽品等5大廠。在晶圓代工方
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聯(lián)電 老將回鍋拚制程
聯(lián)電（2303）新任執(zhí)行長(zhǎng)顏博文上任2個(gè)月以來(lái)積極強(qiáng)化研發(fā)部門(mén)，業(yè)界傳出他成功延攬清大材料工程教授游萃蓉回鍋，擔(dān)任聯(lián)電研發(fā)部門(mén)高階主管，與現(xiàn)任聯(lián)電工程暨矽智財(cái)研發(fā)設(shè)計(jì)支援副總簡(jiǎn)山杰，挑起28奈米重任，加速聯(lián)電
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聯(lián)電與星科金朋共同發(fā)表矽穿孔3D IC技術(shù)
聯(lián)電 (UMC)與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋 (STATS ChipPAC)共同發(fā)表號(hào)稱(chēng)全球第一件在開(kāi)放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開(kāi)發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。兩家公司所展示的3D晶片堆疊，由Wide I/O記憶體測(cè)試晶片和內(nèi)嵌TSV的28
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28nm進(jìn)展緩/40nm競(jìng)爭(zhēng)BNP：聯(lián)電今年成長(zhǎng)有限
聯(lián)電 (2303)2012年全年?duì)I收在28 奈米仍未能放量的情況下，微幅年增0.11%來(lái)到1059.98億元。而在聯(lián)電2月6日舉辦法說(shuō)會(huì)前夕，BNP(法銀巴黎證)搶先出具最新報(bào)告，看淡聯(lián)電今年的獲利表現(xiàn)，指出即使去年基期低，聯(lián)電今年的
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聯(lián)電星科金朋結(jié)盟
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）與新加坡封測(cè)大廠星科金朋（STATS ChipPAC）昨（29）日宣布結(jié)盟，并展示全球第一件在開(kāi)放式供應(yīng)鏈環(huán)境下，合作開(kāi)發(fā)的直通矽晶穿孔（TSV）3D IC技術(shù)。業(yè)界認(rèn)為，28奈米以下先進(jìn)制程朝向3D IC發(fā)
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搶進(jìn)3D IC技術(shù) 聯(lián)電攜手星科金朋
【蕭文康╱臺(tái)北報(bào)導(dǎo)】繼臺(tái)積電（2330）月初宣布與美商阿爾特拉（Altera）宣布共同開(kāi)發(fā)3D IC晶片（3 Dimensional Integrated Circuit，立體堆疊積體電路）后，昨聯(lián)電（2303）也與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋（STATS
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聯(lián)電/星科金朋展示全球首件開(kāi)放式供應(yīng)鏈3D IC
聯(lián)電 (2303)與新加坡半導(dǎo)體封測(cè)廠商星科金朋( STATS ChipPAC )今(29日)共同宣布，展示全球第一件在開(kāi)放式供應(yīng)鏈環(huán)境下合作開(kāi)發(fā)的內(nèi)嵌矽穿孔(TSV) 3D IC技術(shù)。聯(lián)電指出，所展示的3D晶片堆疊，是由Wide I/O記憶體測(cè)試晶
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智原與聯(lián)電合作產(chǎn)出40納米三億邏輯閘SoC
聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技日前共同宣布，雙方因應(yīng)客戶需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-milliongatecount)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復(fù)雜度SoC的產(chǎn)出，主要奠基于雙方豐富的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)、先進(jìn)的
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聯(lián)電與智原合作交付高復(fù)雜度40nm三億邏輯閘SoC
近日，聯(lián)華電子與ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)領(lǐng)導(dǎo)廠商智原科技日前共同宣布，雙方因應(yīng)客戶需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘(300-million gate count)系統(tǒng)單芯片解決方案。此款高復(fù)雜度SoC的產(chǎn)出，主要奠基于雙方豐富的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)
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智原、聯(lián)電高階通訊應(yīng)用達(dá)陣
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）及旗下IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠智原（3035）昨（22）日共同宣布，雙方因應(yīng)客戶需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘（300-million gate count）的系統(tǒng)單晶片（SoC），在高階通訊應(yīng)用市場(chǎng)再下一城。據(jù)了解，該款
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智原、聯(lián)電 高階通訊應(yīng)用達(dá)陣
晶圓代工廠聯(lián)電（2303）及旗下IC設(shè)計(jì)服務(wù)廠智原（3035）昨（22）日共同宣布，雙方因應(yīng)客戶需求，已經(jīng)完成并交付3億邏輯閘（300-million gate count）的系統(tǒng)單芯片（SoC），在高階通訊應(yīng)用市場(chǎng)再下一城。據(jù)了解，該款
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探秘各晶圓代工廠28nm產(chǎn)能狀況
2012年智能手機(jī)、平板電腦需求發(fā)展速度大幅高于市場(chǎng)預(yù)期，當(dāng)時(shí)只有臺(tái)積電有28奈米製程產(chǎn)能供應(yīng)，但產(chǎn)能?chē)?yán)重不足引發(fā)高通(Qualcomm)、NVIDIA、超微(AMD)、賽靈思(Xilinx)等大客戶嚴(yán)重抗議，且還躍上媒體表示臺(tái)積電28奈
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聯(lián)電叫板Globalfoundries 28納米工藝爭(zhēng)高通訂單
據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露，臺(tái)灣芯片代工廠商聯(lián)電（UMC）已向高通交付了28nm芯片樣品進(jìn)行驗(yàn)證，并與Globalfoundries的競(jìng)爭(zhēng)，努力成為繼臺(tái)積電之后高通第二個(gè)28nm芯片代工合作伙伴。消息來(lái)源表示，高通預(yù)計(jì)于2013年中推出其下一
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三星晶圓代工 超越聯(lián)電
市調(diào)機(jī)構(gòu)ICInsights最新調(diào)查，三星晶圓代工部門(mén)（LSI）去年?duì)I收成長(zhǎng)幅度高達(dá)98%，成長(zhǎng)幅度同業(yè)第1，營(yíng)收規(guī)模超越聯(lián)電，躍居全球第3大晶圓代工廠。三星來(lái)勢(shì)洶洶，今年可能進(jìn)一步超越二哥格羅方德，距離龍頭臺(tái)積電腳步
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三星晶圓代工 超越聯(lián)電
市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights最新調(diào)查，三星晶圓代工部門(mén)（LSI）去年?duì)I收成長(zhǎng)幅度高達(dá)98%，成長(zhǎng)幅度同業(yè)第1，營(yíng)收規(guī)模超越聯(lián)電，躍居全球第3大晶圓代工廠。三星來(lái)勢(shì)洶洶，今年可能進(jìn)一步超越二哥格羅方德，距離龍頭臺(tái)積電腳步
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營(yíng)收超越聯(lián)電 三星晶圓代工市場(chǎng)坐三望二
2012年三星(Samsung)晶圓代工營(yíng)收再創(chuàng)新高。IC Insights指出，拜蘋(píng)果應(yīng)用處理器大單挹注所賜，三星2012年晶圓代工業(yè)務(wù)總營(yíng)收高達(dá)43億3,000萬(wàn)美元，較2011年成長(zhǎng)將近一倍，并擠下聯(lián)電，成為全球第三大晶圓代工業(yè)者。不
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