在最近結(jié)束的一次對美光CFO Ernie Maddock的采訪中,他曾多次提到了關(guān)于“C”的觀點。所以,我們現(xiàn)在簡單整理一下這篇文章的論點。以便我們能夠從中獲取更多有價值的信息。具體而言,這篇文章主要是關(guān)于存儲行業(yè)的循環(huán)周期和盈利的觀點。
據(jù)日經(jīng)新聞報導(dǎo),美光科技計劃未來二至三年斥資20億美元,在位在日本廣島的工廠量產(chǎn)主要應(yīng)用在智能手機(jī)、數(shù)據(jù)中心和自駕車的新世代DRAM。報導(dǎo)指出,美光已在這座廠房內(nèi)增設(shè)
繼美光后,全球第二大NOR Flash制造廠Cypress也在財報發(fā)布會上釋出將淡出中低容量的NOR Flash市場,專注高容量的車用和工規(guī)領(lǐng)域的消息,加上蘋果明年新手機(jī)全數(shù)導(dǎo)入OLED面板,同步得搭載NOR芯片維持手機(jī)色彩飽和度,明年缺口持續(xù)擴(kuò)大。
美光昨日以新臺幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺中廠房。美光表示,標(biāo)下的臺中廠房未來將用于DRAM先進(jìn)封測技術(shù)發(fā)展,與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合,打造中國臺灣地區(qū)DRAM中心。
從去年下半年到現(xiàn)在,存儲芯片的價格就一直在上漲中,而且漲幅很猛,動不動就是20%、30%地漲,今年Q1季度還沒過完,DRAM內(nèi)存累計漲幅就有40%了,“漲勢一片大好”,以致于美光都不得不修正Q2財報預(yù)期,這個季度要賺更多的錢了。
內(nèi)存和SSD從去年中旬到今年連續(xù)漲價,最夸張的局面是,一塊SATA 3的固態(tài)盤,如今甚至要多花一倍的錢。
美國內(nèi)存大廠美光(Micron)合并華亞科技后,中國臺灣地區(qū)成為美光的 DRAM 生產(chǎn)基地,內(nèi)部設(shè)定以超越三星為目標(biāo),并全力沖刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先進(jìn)制程腳步,去年及今年總計投資 20 億美元,將臺中廠(原瑞晶)的制程提升至 1x 納米,另外,集團(tuán)今年也將在中國臺灣地區(qū)擴(kuò)大招募 1,000 名員工,要在先進(jìn)制程技術(shù)上加快布局進(jìn)度以趕上三星。
近年來,企業(yè)加速整合并購,有一些企業(yè)也自我斷臂修整,以讓關(guān)鍵業(yè)務(wù)盈利能力更強(qiáng),由于經(jīng)濟(jì)效益不明顯,美光計劃出售Nor Flash業(yè)務(wù),全力發(fā)展 DRAM 及 NAND FLASH 。 根據(jù)
業(yè)界最早討論GDDR6顯存可以追溯到2012年,當(dāng)時的說法是2014年就將啟動標(biāo)準(zhǔn)制定,但GDDR5之后A/N兩家先后用上了HBM和GDDR5X,也不見GDDR6的蹤影。據(jù)外媒報道,繼三星之后,美光也談及了自己未來的存儲規(guī)劃,其中就涉及GDDR6顯存。美光計劃今年底將GDDR5的制程工藝從20nm推進(jìn)到1Xnm,預(yù)計是16nm。同時,他們表示G5X顯存的需求將迎來增長,考慮到市面僅GTX 1080/TITAN X/Tesla P40在用,不知道是否是暗示1080 Ti以及RX 500顯卡將會采用。
今年DRAM內(nèi)存、NAND閃存漲價救了美光公司,他們本周一正式收購了華亞科公司,內(nèi)存業(yè)務(wù)如虎添翼,而閃存方面,美光也公布了兩個好消息——該公司的3D NAND閃存產(chǎn)能日前正式超過2D NAND閃存,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
美光科技有限公司近期委托Spiceworks對美國155位IT決策者進(jìn)行了關(guān)于大數(shù)據(jù)的調(diào)查,調(diào)查顯示:數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)的量每兩年就會增加一倍,而我們大約只分析了全部數(shù)據(jù)的0.5%。我們收集的數(shù)據(jù)越多,這一比例就越小。
最近幾年半導(dǎo)體行業(yè)可謂是風(fēng)云變幻,并購案一波未平一波又起。美光本來應(yīng)該在2016年7月底完成對華亞科的收購,但卻宣布無法在預(yù)定時間內(nèi)完成收購,一時讓市場紛紛猜測美光收購華亞科項目恐生變數(shù)。
記憶體的3D NAND flash大戰(zhàn)即將開打!目前3D NAND由三星電子獨家量產(chǎn),但是先有東芝(Toshiba)殺入敵營,如今美光(Micron)也宣布研發(fā)出3D NAND,而且已經(jīng)送樣,三星一家獨大
報告稱,英特爾、美光、SK海力士(SK Hynix)、東芝、Western Digital的3D NAND應(yīng)該很快就會上市。估計第3、4季3D NAND產(chǎn)品將會大增。英特爾和美光的產(chǎn)品已經(jīng)差不多就緒,東芝和SK海力士則可能在Q4出貨。
美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)今日推出了首項適用于移動設(shè)備的 3D NAND 存儲技術(shù),并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標(biāo)準(zhǔn)的首批產(chǎn)品。
目前全球DRAM市場主要由三星、SK海力士和美光所壟斷,三家企業(yè)占有超過九成的市場份額,不過份額正在往三星和SK海力士兩家韓國企業(yè)集中,而美光的市場份額出現(xiàn)下降勢頭。不禁讓業(yè)界為其擔(dān)憂。
過去三、四年來,DRAM市場主要由三星電子、SK海力士與美光所壟斷,三巨頭在全球的合并市占率達(dá)90%,但情勢可能改變。在DRAM市場景氣不佳的局面下,排行第三的美光則開始虧損。
據(jù)外媒報道,據(jù)知情人士透露,中國兩大先進(jìn)內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠已在政府引導(dǎo)下合并在一起,以期強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,打造出實力更強(qiáng)的技術(shù)公司,縮小與西方國家在技術(shù)上的差距。據(jù)稱,一直活躍在海外半導(dǎo)體投資領(lǐng)域的清華紫光集團(tuán)已
不論是NAND閃存還是DRAM內(nèi)存領(lǐng)域,韓國兩家公司三星、SK Hynix總算還能保住吃香喝辣的日子,但美國的美光公司這兩年就沒啥舒服日子了,技術(shù)、產(chǎn)能都落后友商,偏偏現(xiàn)在又遇
三星電子(Samsung Electronics)開始量產(chǎn)18納米DRAM,成本將可比目前的20納米再低20~30%左右。由于SK海力士(Sk Hynix)、美光(Micron)等業(yè)者的DRAM制程都還停留在20納米以上世