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米鰭式場(chǎng)效晶體管制程芯片

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我要報(bào)錯(cuò)

三星10nm工藝保障其半導(dǎo)體地位

三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)2016年將正式進(jìn)入10納米(nm)時(shí)代。借著量產(chǎn)18納米DRAM與10納米鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)制程芯片，以擴(kuò)大技術(shù)差距的策略守住半導(dǎo)體領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。據(jù)首爾經(jīng)濟(jì)報(bào)導(dǎo)，三星半導(dǎo)體事業(yè)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2016-01-04

10納米三星米鰭式場(chǎng)效晶體管制程芯片