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什么是硅穿孔技術
隨著科技的飛速發(fā)展，微電子技術已成為現(xiàn)代社會不可或缺的一部分。在這個領域中，硅穿孔技術(Through-Silicon Via, TSV)正逐漸嶄露頭角，成為連接微電子器件內(nèi)部和外部世界的橋梁。本文將詳細介紹硅穿孔技術的概念、原理、應用領域以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
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三星率先開發(fā)出12層3D硅穿孔堆疊：單芯片容量提至24GB
近日，三星電子宣布率先在業(yè)內(nèi)開發(fā)出12層3D-TSV(硅穿孔)技術。隨著集成電路規(guī)模的擴大，如何在盡可能小的面積內(nèi)塞入更多晶體管成為挑戰(zhàn)，其中多芯片堆疊封裝被認為是希望之星。三星稱，他們得以將12片DRAM芯片通過60
