/*************通過光敏電阻輸入模擬信號,得到相應(yīng)的數(shù)字信號,通過數(shù)字量的大小設(shè)置閾值,通過閾值可以控制燈泡等設(shè)備的開關(guān)************************//***模擬信號輸入口為AN0,模擬電壓的產(chǎn)生由外圍
液晶屏驅(qū)動板(邏輯板)損壞后常見的故障有黑屏、白屏、灰屏、噪波點、負像、 豎帶、圖像太亮或太暗等。在實際檢修中,因時序控制芯片內(nèi)部灌有程序,加之這類芯片購買難且不易
一、為什么E-MOSFET的閾值電壓隨著半導(dǎo)體襯底摻雜濃度的提高而增大?而隨著溫度的升高而下降?【答】E-MOSFET的閾值電壓就是使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生反型層(導(dǎo)電溝道)所需要加的柵極
六、陀螺儀:原理:角動量守恒,一個正在高速旋轉(zhuǎn)的物體(陀螺),它的旋轉(zhuǎn)軸沒有受到外力影響時,旋轉(zhuǎn)軸的指向是不會有任何改變的。陀螺儀就是以這個原理任為依據(jù),用它來保
1. 電阻式應(yīng)變片電橋壓力傳感器工作原理電阻式應(yīng)變式壓力傳感器是由電阻應(yīng)變片組成的測量電路和彈性敏感元件組合起來的傳感器。當彈性敏感元件受到外界壓力作用時,將產(chǎn)生應(yīng)
今天修一臺格力謙者變頻空調(diào),故障代碼顯示通訊故障,一開機外機不斷有周期性的喀噠聲,明顯是軟啟動繼電器發(fā)出的,實測通訊電壓為58V,并不是所謂的24V。由于這類故障以前
光電耦合器是以光為媒介傳輸電信號的一種電—光—電轉(zhuǎn)換器件,其輸入端一般為發(fā)光二極管或紅外發(fā)射管,輸出端多為光敏二極管、光敏三極管、光控晶閘管等,故使用
魯思慧 本文介紹光通信網(wǎng)絡(luò)中光收發(fā)模塊和數(shù)字非易失可變電阻的技術(shù)與應(yīng)用,并著重分析新型數(shù)字非易失可變電阻ds1847/8在激光技術(shù)中對系統(tǒng)參數(shù)自動調(diào)節(jié)的設(shè)計及應(yīng)用。光收
邏輯板的典型故障是:無圖像,屏幕垂直方向有斷續(xù)的彩色線條,也無字符(這一點很重要)。可以測試上屏電壓,5V或12V看屏型號而定。再測試LVDS輸出接口上的電壓看靜態(tài)和動態(tài)兩
雖然放大器的種類非常多,不同放大器適合與不同類型的傳感器接口,但是多數(shù)復(fù)雜的放大器都是通過組合運算放大器構(gòu)建的?,F(xiàn)如今幾乎所有情況下,運算放大器都是利用反饋網(wǎng)絡(luò)
摘要 :工業(yè)電機驅(qū)動的整個市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體
以往我們的設(shè)計總是集中在運放本身的規(guī)范上,但常常是無源元件會成為系統(tǒng)性能的主要限制。本文將集中討論在集成運放電路設(shè)計中,應(yīng)如何正確地選擇無源元件 ,以使運放電路獲得
貼片之間的間距 貼片元器件之間的間距是工程師在layout時必須注意的一個問題,如果間距太小焊膏印刷和避免焊接連錫難度非常大。距離建議如下貼片之間器件距離要求:同種器
電阻的色標位置和倍率關(guān)系二、 電容電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容在電路中一般用“c”加數(shù)字表示,如c223表示編號為223的電容電
作為一名電子元器件采購,不僅需要靈活的業(yè)務(wù)能力,也需要掌握電子元器件的分類、型號識別、用途等專業(yè)基礎(chǔ)知識,才能為企業(yè)提供更專業(yè)的采購建議。電子元器件的分類用于制
一、概念1、熱路:由熱源出發(fā),向外傳播熱量的路徑。在每個路徑上,必定經(jīng)過一些不同的介質(zhì),熱路中任何兩點之間的溫度差,都等于器件的功率乘以這兩點之間的熱阻,就像電路
1、運放輸出端加一小電阻的作用?答:運放輸出短路的保護方法很簡單,只要用一個小電阻R串接于運放的輸出端,如圖所示,就能防止輸出短路失效。如果這個電阻接到反饋環(huán)路內(nèi),
圍繞USB Type-C接口的話題已經(jīng)很火爆了,很多公司也推出了Type-C相關(guān)芯片。它的優(yōu)勢主要體現(xiàn)在不分正反雙面接插、傳輸速度快、供電強悍、支持音視頻傳輸。我們知道,STM32芯
1 引言 電力電纜|0">電纜作為電力系統(tǒng)的重要設(shè)備,其安全運行具有重要意義。一旦發(fā)生故障將直接影響設(shè)備的安全運行,可能引發(fā)火災(zāi)事故,擴大事故范圍,導(dǎo)致大面積停電。
詳細講解MOS管的米勒效應(yīng)米勒平臺形成的基本原理MOSFET的柵極驅(qū)動過程,可以簡單的理解為驅(qū)動源對MOSFET的輸入電容(主要是柵源極電容Cgs)的充放電過程;當Cgs達到門檻電壓之