當產(chǎn)品系統(tǒng)的熱量增加時,系統(tǒng)的功耗就會成倍的增加,這樣在設(shè)計電源系統(tǒng)時,就會選擇更加大電流的解決方案,而這樣必定會帶來成本上的增加,當電流大到一定程度時,成本就會成倍成本的增加。
目前數(shù)字集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙極型集成電路(主要為TTL)和單極型集成電路(CMOS、NMOS、PMOS等)。CMOS電路的單門靜態(tài)功耗在毫微瓦(nw)數(shù)量級。 CMOS集成電路的簡介 CMOS互補金屬氧化物半導(dǎo)體,電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數(shù)字集成電路的基
通常引入反饋深度越大,對于電路性能的改善越好,如增益穩(wěn)定性的提高,通頻帶的展寬,非線性失真的減小,輸入電阻的增加和輸出電阻的減小。但是,反饋深度越大,對電路的增益衰減也越大,所以負反饋是以犧牲增益為代
一、反饋的基本概念反饋是指把放大電路輸出回路中某個電量(電壓或電流)的一部分或全部,通過一定的電路形式(反饋網(wǎng)絡(luò))送回到放大電路的輸入回路,并同輸入信號一起參與控制作用,以使放大電路某些性能獲得改善的
這一節(jié)主要深刻理解負反饋的基本概念;掌握識別負反饋放大電路類型的方法及它們的特點;了解負反饋對放大電路性能的影響。1. 負反饋的基本概念,要求達到“領(lǐng)會”層次。2. 負反饋放大電路的類型,要
0 引言 IGBT 即絕緣門極雙極型晶體管( IsolatedGate Bipolar Transistor), 這是八十年代末九十年代初迅速發(fā)展起來的一種新型復(fù)合器件。由于它將MOSFET和GTR的優(yōu)點集于一身, 具有輸入阻抗高、速度快、熱穩(wěn)定性