實(shí)現(xiàn)多電源時(shí)序控制和跟蹤的電路設(shè)計(jì)

隨著多電源電子系統(tǒng)和IC的數(shù)量的增加，為確保系統(tǒng)在操作前正確上電，對電源時(shí)序控制的需求變得越來越迫切。

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日立等開發(fā)以輔助電源補(bǔ)償LSI內(nèi)部電壓下降的技術(shù)

日立制作所與瑞薩科技聯(lián)合開發(fā)出了利用輔助電源補(bǔ)償LSI回路區(qū)塊電壓下降的技術(shù)，并于2008年6月18～20日在美國檀香山舉行的“2008 Symposium on VLSI Circuits”上公布了相關(guān)詳細(xì)情況。 一般來說，在工作負(fù)荷大的電

PGA204／205的電源和信號(hào)基本連接電路

如圖所示為PGA204／205的電源和信號(hào)基本連接電路。在噪聲或高阻電源應(yīng)用時(shí)，電源端要有旁路濾波電容，在設(shè)計(jì)印刷電路板時(shí)應(yīng)使濾波電容盡可能靠近電源腳。信號(hào)VIN由4、5腳輸入，經(jīng)過放大后從11腳輸出。通常Ref端(10腳

PGA202信號(hào)和電源的基本連接電路圖

如圖所示為PGA202信號(hào)和電源的基本連接電路，各個(gè)電源端都要用1μF的鉭電容旁路濾波。為了發(fā)揮芯片的最大性能，在設(shè)計(jì)印刷電路板時(shí)應(yīng)使鉭電容盡可能靠近電源腳。為避免外圍元件引入增益和CMR誤差，各個(gè)元件接地時(shí)應(yīng)

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

在電信系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)熱插拔電源的設(shè)計(jì)方法

本文主要討論其中的三種考慮，即：為所有模塊保持良好的電源、同時(shí)如何撤掉故障模塊并將新模塊插入至運(yùn)行系統(tǒng)中。

電源應(yīng)用中場效應(yīng)晶體管的崩潰效應(yīng)

此篇文章可帶領(lǐng)各位去判斷何種條件下對場效應(yīng)晶體管所造成的影響 , 進(jìn)而幫助設(shè)計(jì)者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點(diǎn)。

OTL功放電源的電流(用于電子管功放）

關(guān)于技術(shù)、市場、銷售的職業(yè)/創(chuàng)業(yè)的關(guān)聯(lián)思考

LM4911的不同電源導(dǎo)通時(shí)間推薦電路

如圖所示為LM4911的不同電源導(dǎo)通時(shí)間推薦電路。該電路采用一個(gè)控制器，利用控制器內(nèi)的MOSFET管對LM4911關(guān)斷控制(SD)端進(jìn)行控制，以達(dá)到放大器導(dǎo)通時(shí)間的調(diào)控。 function resizeImage(evt,obj){ newX=evt.x; newY=e

μA741構(gòu)成的直接耦合音頻功率放大器

如圖所示為直接耦合音頻功率放大電路。利用集成運(yùn)放構(gòu)成音頻功率放大器時(shí)，通常有兩種實(shí)用形式。 第一種實(shí)用形式如圖(a)所示，該電路的結(jié)構(gòu)是在運(yùn)放的輸出端加上互補(bǔ)對稱射極跟隨器，這種形式結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，但

DZW75-48/50(50II)輔助電源電原理圖

IGBT在CO2氣體保護(hù)焊電源中的應(yīng)用

　　1.為了能夠?qū)Χ搪愤^程進(jìn)行精確控制,主電路采用工作頻率很高的IGBT作為開關(guān)功率器件．CO2氣體保護(hù)焊電源的主電路采用全橋式的結(jié)構(gòu)． 2.80C196KB控制系統(tǒng)構(gòu)成原理框圖