一文講透一階系統(tǒng)的系統(tǒng)響應(yīng)、傳遞函數(shù)和輸出響應(yīng)

一：一階系統(tǒng)響應(yīng)定義通常來(lái)講，一階系統(tǒng)分為電壓驅(qū)動(dòng)一階系統(tǒng)(a)以及電流驅(qū)動(dòng)一階系統(tǒng)(b)，如下圖所示： 這兩個(gè)一階系統(tǒng)在線(xiàn)路上是完全等效的。它們的階躍響應(yīng)如下： 電

電源壽命的元件：電解、開(kāi)關(guān)、風(fēng)扇、熱敏、光耦！(一)

1、決定開(kāi)關(guān)電源壽命的元器件①電解電容器電解電容器的封口部位會(huì)漏出氣化的電解液，這種現(xiàn)象會(huì)隨著溫度的升高而加速，一般認(rèn)為溫度每上升10℃，泄漏速度會(huì)提高至2倍。因此

USB 5V充電器分立器件電路剖析講解，開(kāi)關(guān)電源基礎(chǔ)知識(shí)學(xué)習(xí)和實(shí)踐

USB 5V充電器應(yīng)用廣泛，手機(jī)、MP3、MP4、USB電子音箱、電子學(xué)習(xí)機(jī)、電子詞典、移動(dòng)應(yīng)急電源、充電寶、無(wú)線(xiàn)設(shè)備等。本開(kāi)關(guān)電源充電器電路具有過(guò)流過(guò)載短路保護(hù)功能，電路原理

康佳液晶電視三無(wú)及黑屏技改維修分享！

接修一臺(tái)康佳液晶電視LC32HS62B上電開(kāi)機(jī)三無(wú)情況，拆蓋見(jiàn)電源5A保險(xiǎn)燒斷，電源濾波電容燒爆!(具體原因燒壞不得而知)換之，上電試機(jī)，指示燈紅燈亮，按待機(jī)鍵，紅燈轉(zhuǎn)綠燈，

30條開(kāi)關(guān)電源工作小技巧(三)

電路圖24. 電路設(shè)計(jì)，高壓大電容并一顆103P 瓷片電容位置，理由：對(duì)輻射30-60MHz 都有一定的作用?？臻g允許的話(huà)，可以給 PCB Layout 留一個(gè)位置，方便 EMI 整改。25. 在進(jìn)

30條開(kāi)關(guān)電源工作小技巧(一)

電源開(kāi)發(fā)是個(gè)技術(shù)活，也是個(gè)累活，工作繁雜時(shí)難免會(huì)犯一些低級(jí)小錯(cuò)誤。這些錯(cuò)誤，會(huì)導(dǎo)致一系列的連鎖反應(yīng)，需要采購(gòu)部、生產(chǎn)部、PM、品管部、業(yè)務(wù)部、工程部等眾多部門(mén)來(lái)配

功率MOS剖析(二)

(2)：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)： 當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。(3)：穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)：-- 門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通

功率MOS剖析(一)

(1)：等效電路 (2)：說(shuō)明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大;它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳

高手講解電源原理圖及各個(gè)元件的功能詳解(二)

其它:因?yàn)檩敵鰹?.3V，而TL431的Vref值為2.5V，若再加上photo coupler上的壓降約1.2V，將使得輸出電壓無(wú)法推動(dòng)Photo coupler及TL431，所以必須另外增加一組線(xiàn)圈提供回授路徑

高手講解電源原理圖及各個(gè)元件的功能詳解(一)

本次講解電源以一個(gè)13.2W電源為例輸入：AC90~264V輸出：3.3V/4A原理圖 變壓器是整個(gè)電源供應(yīng)器的重要核心，所以變壓器的計(jì)算及驗(yàn)證是很重要的。決定變壓器的材質(zhì)及尺寸:依

積分電路原理之新解——放大器與電容的變身

將反相放大器中的反饋電阻，換作電容，便成為如圖一所示的積分放大器電路。對(duì)于電阻，貌似是比較實(shí)在的東西，電路輸出狀態(tài)可以一目了然，換作電容，由于充、放電的不確定性

常用EMC前級(jí)電路設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)分享

大家都知道，EMC 描述的是產(chǎn)品兩個(gè)方面的性能，即電磁發(fā)射/干擾EME和電磁抗擾EMS。EME中又包含傳導(dǎo)和輻射;而EMS中又包含靜電、脈沖群、浪涌等。本文將從EMS中的浪涌抗擾度的

TDK鋁電解電容器: 大電流能力的緊湊型單端引線(xiàn)式電容器系列

TDK公司(東京證券交易所代碼：6762)開(kāi)發(fā)出新系列愛(ài)普科斯(EPCOS)單端引線(xiàn)式鋁電解電容器B41897*系列。該系列電容器尺寸非常緊湊，具有大CV(電容值)和高紋波電流能力，額定

IGBT開(kāi)通過(guò)程分析(二)

米勒平臺(tái)過(guò)程?hào)艠O電壓在上升到一定值后，會(huì)有一個(gè)柵極電壓維持水平的階段，這個(gè)電壓稱(chēng)之為密勒平臺(tái)電壓。由上面分析可知，當(dāng)柵極電壓大于閾值電壓， IGBT 開(kāi)始通過(guò)正向電流

IGBT開(kāi)通過(guò)程分析(一)

IGBT作為具有開(kāi)關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開(kāi)關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域?，F(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開(kāi)關(guān)損耗。作

安規(guī)電容知識(shí)詳解，X電容和Y電容的作用以及應(yīng)用、耐壓選擇

一、安規(guī)電容安規(guī)電容之所以稱(chēng)之為安規(guī)，它是指用于這樣的場(chǎng)合：即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，也不危及人身安全。安規(guī)電容包含X電容和Y電容兩種，它普通電容不一樣的是，

投射式電容觸控面板應(yīng)用現(xiàn)狀及最新產(chǎn)品開(kāi)發(fā)趨勢(shì)

運(yùn)放電路設(shè)計(jì)中無(wú)源元件的選擇

以往我們的設(shè)計(jì)總是集中在運(yùn)放本身的規(guī)范上,但常常是無(wú)源元件會(huì)成為系統(tǒng)性能的主要限制。本文將集中討論在集成運(yùn)放電路設(shè)計(jì)中,應(yīng)如何正確地選擇無(wú)源元件 ,以使運(yùn)放電路獲得

分析EMC整改常遇到的問(wèn)題和一些整改建議

EMC主要是通過(guò)測(cè)試產(chǎn)品在電磁方面的干擾大小和抗干擾能力的綜合評(píng)定，是產(chǎn)品在質(zhì)量安全認(rèn)證重要的指標(biāo)之一。很多產(chǎn)品在做產(chǎn)品安全認(rèn)證時(shí)都會(huì)遇到產(chǎn)品測(cè)試不合格的情況，尤其

使用電源模塊簡(jiǎn)化低EMI設(shè)計(jì)

在設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源時(shí)，您可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)電磁干擾(EMI)越來(lái)越多的應(yīng)用必須通過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)，制造商才獲得商業(yè)轉(zhuǎn)售批準(zhǔn)。開(kāi)關(guān)電源意味著器件內(nèi)部有電子開(kāi)關(guān)，EMI可通過(guò)它產(chǎn)生輻射。本文將