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電子遷移

我要報(bào)錯(cuò)

  • 芯片設(shè)計(jì)問題須知及設(shè)計(jì)策略

    電流密度過高導(dǎo)致金屬原子逐漸置換，這時(shí)就會(huì)產(chǎn)生電子遷移問題。當(dāng)很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)在同一個(gè)方向有過多電流流過時(shí)，在互連線上會(huì)開始形成空洞(Void，原子耗盡時(shí)出現(xiàn))和小丘(hillock，原子積聚時(shí)產(chǎn)生)。足夠多的原子被置換后，會(huì)產(chǎn)生斷路或短路。當(dāng)小丘觸及鄰近的互連線時(shí)，短路出現(xiàn)，從而引起芯片失效。