電流密度過高導(dǎo)致金屬原子逐漸置換,這時就會產(chǎn)生電子遷移問題。當(dāng)很長時間內(nèi)在同一個方向有過多電流流過時,在互連線上會開始形成空洞(Void,原子耗盡時出現(xiàn))和小丘(hillock,原子積聚時產(chǎn)生)。足夠多的原子被置換后,會產(chǎn)生斷路或短路。當(dāng)小丘觸及鄰近的互連線時,短路出現(xiàn),從而引起芯片失效。
我與貿(mào)澤不得不說的秘密,如何讓選型和設(shè)計更輕松與愜意?
C 語言靈魂 指針 黃金十一講 之(11)
物聯(lián)網(wǎng)云平臺實戰(zhàn)開發(fā)
C 語言表達(dá)式與運算符進(jìn)階挑戰(zhàn):白金十講 之(3)
編程魔法師大思想
內(nèi)容不相關(guān) 內(nèi)容錯誤 其它
本站介紹 | 申請友情鏈接 | 歡迎投稿 | 隱私聲明 | 廣告業(yè)務(wù) | 網(wǎng)站地圖 | 聯(lián)系我們 | 誠聘英才
ICP許可證號:京ICP證070360號 21IC電子網(wǎng) 2000- 版權(quán)所有 用戶舉報窗口( 郵箱:macysun@21ic.com 電話:010-82165003 )
京公網(wǎng)安備 11010802024343號