在復合材料特性檢測、電路電氣特性檢測、人體心電檢測、核磁共振等方面需要對物體表面電壓進行精確測量。傳統(tǒng)上電壓的檢測都需要與物體直接接觸,通過傳導電流來完成。該種電壓測量方法無法測量空中電壓的變化,即使測量物體表面電壓,這種接觸測量方式也有許多缺點。
全球領(lǐng)先的電路保護產(chǎn)品及解決方案產(chǎn)品組合的供應(yīng)商Littelfuse發(fā)布了一款TVS二極管——P6SMB系列(包括P6SMB440A、P6SMB、P6SMB15A、P6SMB15CA、P6SMB36A、P6SMB400CA),其具有快速響應(yīng)及優(yōu)異的鉗位能力,從0V到BV min僅需小于1ps的反應(yīng)時間 。其不僅可廣泛應(yīng)用于TVS設(shè)備中以保護I/O接口,還能夠應(yīng)用在VCC總線、電信、計算機、工業(yè)以及消費電子電路中。
電感耦合電壓放大器電路
接口是嵌入式設(shè)備中最常見的組成部分,是數(shù)據(jù)傳輸?shù)耐ǖ?,它起著?shù)據(jù)傳輸與隔離保護電路的作用,今天我們一起探討接口保護設(shè)計一種常見方案。 氣體放電管是一種陶瓷或玻璃封
電源電壓在某些情況下被視為正電壓或者負電壓。對于不經(jīng)常跟雙向可控硅開關(guān)管打交道的人來說,“負電源”聽起來怪怪的,畢竟集成電路從來不使用負電壓。
快充技術(shù)日新月異,快充市場百家爭鳴的今天,高通QC快充依然主導著市場。如今QC快充已發(fā)展到第四代,每一代都有著革命性的進步。從QC1.0到QC4.0更新?lián)Q代時間之短,不免讓廣大人民群眾抱怨。“啥?老子QC3.0都沒用
想象一下,你正搭載著 Space X 的第一支火箭踏入火星,或者是成為 NASA 火星之旅計劃的第一位宇航員,在 2030 年登上了這座神秘的紅色星球。當你降落在火星表面,終于能夠執(zhí)行日常任務(wù),卻在鉆取巖石樣本時,一下子
VCC、 VDD、VEE、VSS版本一:簡單說來,可以這樣理解:一、解釋VCC:C=circuit 表示電路的意思, 即接入電路的電壓;VDD:D=device 表示器件的意思, 即器件內(nèi)部的工作電壓;VSS:S=series 表示公共連接的意思,通常指電
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將汽車級146 CTI和160 CLA系列表面貼裝鋁電容器的電壓范圍分別擴展到100V和80V。Vishay BCcomponents器件
在電源適配器上通常有一系列標號的參數(shù),很少有人去關(guān)注這些參數(shù)。本文就將根據(jù)實例,為大家分析電源適配器中一種標識數(shù)值超出輸入電壓范圍的情況,真的是廠家標錯還是里面
本設(shè)計實例介紹了一種基于OVP/UVP測試、負載余量測試、電壓可編程性或其它任何理由而需要調(diào)節(jié)電源輸出電壓的方法。圖1電源輸出電壓雙向調(diào)節(jié)電路。圖1所示電路可以通過向反
相信各位電源設(shè)計者對于電源適配器并不陌生,但深究起來,各位電源工程師又是否對電源適配器足夠了解呢?實際上在各大論壇中關(guān)于電源適配器的討論幾乎都是最基礎(chǔ)的,本文來自
如下圖所示為一款復勵直流電機的自動調(diào)整電壓電路。該電路主要是用于40kW、230V的,電壓變化率可達2. 5%.圖中,BQ為并勵繞組,CQ為串勵繞組外接電阻Rw串接在并勵繞組回路。
隨著近年來電子可穿戴產(chǎn)品技術(shù)的進步,與之相關(guān)的充電技術(shù)、智能電源管理、集成密度方面的技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)很大的飛躍。因此可穿戴設(shè)備正在變得越來越小,與此同時功能卻不降反
雙向可控硅將設(shè)在正周期的開始處,用來門控經(jīng)過3μF電容的電流,可控硅晶體管C103是關(guān)閉的。負載電壓為1μF的電容充電,這樣在線性電壓的隨后負半周期中,雙向可控硅將
摘要:之前我們有接到客戶說在用我們E8000電能質(zhì)量分析儀,測量諧波電壓總諧波畸變率是3.4%,問不知道是否屬于正常范圍?”我暫時不回答這個問題先,這里想跟大家淺談一
當放大器發(fā)生外部過壓狀況時,ESD二極管是放大器與過電應(yīng)力之間的最后防線。正確理解ESD單元在一個器件中是如何實現(xiàn)的,設(shè)計人員就能通過適當?shù)碾娐吩O(shè)計大大擴展放大器的生存范圍。本文旨在向讀者介紹各種類型的ESD實現(xiàn)方案,討論每種方案的特點,并就如何利用這些單元來提高設(shè)計魯棒性提供指南
雙向可控硅將設(shè)在正周期的開始處,用來門控經(jīng)過3μF電容的電流,可控硅晶體管C103是關(guān)閉的。負載電壓為1μF的電容充電,這樣在線性電壓的隨后負半周期中,雙向可控硅將
對于新人工程師而言,掌握絕緣柵雙極型晶體管原理知識是非常重要的,這將會對工程師日后的產(chǎn)品設(shè)計和研發(fā)工作提供極大的幫助。在今天的文章中,我們將會就絕緣柵雙極型晶體
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封裝。對于電源設(shè)計人員來說,理解