瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(shù)(FOM)較上代產(chǎn)品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產(chǎn)品“G8H系列”,已開始供應(yīng)樣品。FOM是開關(guān)損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積,F(xiàn)OM越
瑞薩電子近期宣布推出為汽車運算系統(tǒng)的功能安全而研發(fā)的硬件故障探測及預(yù)警技術(shù)。與此同時,還成功開發(fā)出一種支持ISO26262 ASIL B汽車功能安全標準、采用16納米FinFET工藝
在電動車的各大系統(tǒng)中,莫過于BMS(電池管理系統(tǒng))的表現(xiàn)最為關(guān)鍵,它扮演電動車所有電力輸出的重要來源,與此同時,電池壽命的長短與否也與BMS息息相關(guān)。
瑞薩電子(Renesas)開發(fā)全新28奈米嵌入式快閃記憶體技術(shù)。該技術(shù)可達更快的讀取與覆寫速度,且針對采用28奈米(nm)嵌入式快閃記憶體(eFlash)制程技術(shù)的晶片內(nèi)建快閃記憶體微控制器(MCU)所設(shè)計。新技術(shù)利用記憶體單元電
“這兩年都在拼命精簡機構(gòu),設(shè)法生存下去。所有員工都知道,不改革就必死無疑,我也一直抱著走錯一步公司就會倒閉的想法。如今終于能走出困境了,今后的目標將不再是