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熱插拔技術(shù)

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  • 英飛凌推出OptiMOS? Linear FET 2 MOSFET，賦能先進(jìn)的熱插拔技術(shù)和電池保護(hù)功能

    【2024年11月25日, 德國(guó)慕尼黑訊】為了滿足AI服務(wù)器和電信領(lǐng)域的安全熱插拔操作要求，MOSFET必須具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的 RDS(on) 。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出的新型OptiMOS? 5 Linear FET 2解決了這一難題，這款MOSFET專為實(shí)現(xiàn)溝槽 MOSFET的RDS(on)與經(jīng)典平面 MOSFET 的寬安全工作區(qū)（SOA）之間的理想平衡而設(shè)計(jì)。該半導(dǎo)體器件通過限制高浪涌電流防止對(duì)負(fù)載造成損害，并因其低RDS(on) 而能夠在工作期間將損耗降至最低。與上一代產(chǎn)品OptiMOS? Linear FET相比，OptiMOS? Linear FET 2改善了高溫下的 SOA、降低了柵極漏電流，并擴(kuò)大了封裝選擇范圍。

  • 凌力爾特推出4μA超低靜態(tài)電流熱插拔控制器LTC4231：引領(lǐng)安全與效率的新篇章

    在快速發(fā)展的電子行業(yè)中，熱插拔技術(shù)因其能夠在不關(guān)閉電源的情況下安全地插入或拔出電路板或電池，成為眾多電子設(shè)備設(shè)計(jì)中的重要一環(huán)。然而，傳統(tǒng)的熱插拔解決方案往往伴隨著較高的功耗和復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)，限制了其在低功耗、高效率應(yīng)用場(chǎng)合的推廣。針對(duì)這一挑戰(zhàn)，凌力爾特公司(Linear Technology Corporation，現(xiàn)已并入亞德諾半導(dǎo)體公司Analog Devices, Inc.)于2014年推出了LTC4231——一款具有4μA超低靜態(tài)電流的熱插拔控制器，為電子設(shè)備的熱插拔技術(shù)帶來(lái)了革命性的變革。