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加速測(cè)試為L(zhǎng)ED招標(biāo)補(bǔ)貼的落實(shí)提速——LED照明產(chǎn)品可靠性測(cè)試方法研討會(huì)在京召開
2012年5月30日，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(籌)(以下簡(jiǎn)稱重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)重點(diǎn)項(xiàng)目之一的“LED照明產(chǎn)品可靠性測(cè)試方法”研討會(huì)在北京召開，會(huì)議邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)在電子產(chǎn)品檢測(cè)方面具有多年研究基礎(chǔ)的機(jī)構(gòu)及LED照明領(lǐng)域具
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加速測(cè)試為L(zhǎng)ED招標(biāo)補(bǔ)貼的落實(shí)提速
2012年5月30日，半導(dǎo)體照明聯(lián)合創(chuàng)新國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室(籌)(以下簡(jiǎn)稱重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室)重點(diǎn)項(xiàng)目之一的“LED照明產(chǎn)品可靠性測(cè)試方法”研討會(huì)在北京召開，會(huì)議邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)在電子產(chǎn)品檢測(cè)方面具有多年研究基礎(chǔ)的機(jī)構(gòu)及LED照明領(lǐng)
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自蔓延高溫合成實(shí)驗(yàn)壓力與燃燒速率測(cè)試方法研究
摘要：自蔓延高溫合成技術(shù)是利用原料在初始點(diǎn)燃條件下化學(xué)反應(yīng)所產(chǎn)生的高溫高熱，使燃燒反應(yīng)自發(fā)地進(jìn)行，從而得到新的成分和結(jié)構(gòu)的產(chǎn)物。通過對(duì)自蔓延高溫合成實(shí)驗(yàn)壓力和燃燒速率測(cè)試方法的研究，根據(jù)實(shí)驗(yàn)的要求，選
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發(fā)光二極管光譜參數(shù)測(cè)試方法的研究
1 引言LED(發(fā)光二極管)由于其光強(qiáng)高、功耗低、壽命長(zhǎng)、可靠性高、易驅(qū)動(dòng)、易與IC相銜接等特點(diǎn),已被廣泛用于交通、商業(yè)廣告和儀器儀表顯示中。而LED的顏色是影響各種顯示效果的一種關(guān)鍵因素,決定LED顏色的則是它的波長(zhǎng)
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一種道路照明照度測(cè)試方法和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)作為一種新型光源[1]，與傳統(tǒng)光源相比具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如體積小、重量輕、節(jié)省空間、光譜范圍廣、易于設(shè)計(jì)、能耗低等，而且可靠性好、壽命長(zhǎng)，有著廣闊的發(fā)展前景[2]。隨著國(guó)家城市建設(shè)進(jìn)程的加
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一種道路照明照度測(cè)試方法和數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LED)作為一種新型光源[1]，與傳統(tǒng)光源相比具有很多優(yōu)點(diǎn)，例如體積小、重量輕、節(jié)省空間、光譜范圍廣、易于設(shè)計(jì)、能耗低等，而且可靠性好、壽命長(zhǎng)，有著廣闊的發(fā)展前景[2]。隨著國(guó)家城市建設(shè)進(jìn)程的加
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基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH的一種自測(cè)試方法
摘要：飛控計(jì)算機(jī)作為飛行控制系統(tǒng)的核心控制處理單元，其可靠性要求是所有航空電子設(shè)備中最高的，用于飛控計(jì)算機(jī)的每一個(gè)元器件都必須經(jīng)過嚴(yán)格的自測(cè)試。隨著DSP越來越廣泛應(yīng)用于飛控系統(tǒng)，對(duì)于芯片內(nèi)部FLASH的自測(cè)
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光纖傳輸通道測(cè)試方法介紹
計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)化綜合布線系統(tǒng)(StructuredCablingSystem，SCS)是美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室專家們經(jīng)過多年研究推出的基于星形拓樸結(jié)構(gòu)的模塊系統(tǒng)，也是目前局域網(wǎng)建設(shè)首選的系統(tǒng)。該系統(tǒng)具有實(shí)用、靈活、經(jīng)濟(jì)、可模塊化和可擴(kuò)充
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基于TMSF240芯片的內(nèi)部FLASH的一種自測(cè)試方法
摘要：飛控計(jì)算機(jī)作為飛行控制系統(tǒng)的核心控制處理單元，其可靠性要求是所有航空電子設(shè)備中最高的，用于飛控計(jì)算機(jī)的每一個(gè)元器件都必須經(jīng)過嚴(yán)格的自測(cè)試。隨著DSP越來越廣泛應(yīng)用于飛控系統(tǒng)，對(duì)于芯片內(nèi)部FLASH的自測(cè)
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基調(diào)網(wǎng)絡(luò)第三方視角解讀寬帶測(cè)速標(biāo)準(zhǔn)
近期，工信部公示《固定寬帶接入速率測(cè)試方法》（報(bào)批稿），從測(cè)試寬帶接入速率對(duì)設(shè)備的要求、測(cè)試方法，以及對(duì)數(shù)據(jù)的處理方法等方面，提出了規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)。自去年年底，DCCI發(fā)布《中國(guó)寬帶用戶調(diào)查》，“假寬帶&
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信號(hào)完整性的測(cè)試方法介紹
信號(hào)完整性的測(cè)試手段很多，涉及的儀器也很多，因此熟悉各種測(cè)試手段的特點(diǎn)，以及根據(jù)測(cè)試對(duì)象的特性和要求，選用適當(dāng)?shù)臏y(cè)試手段，對(duì)于選擇方案、驗(yàn)證效果、解決問題等硬件開發(fā)活動(dòng)，都能夠大大提高效率，起到事半功
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USB3.0的物理層接收端的測(cè)試方法（二）
USB簡(jiǎn)介USB(UniversalSerialBus)即通用串行總線，用于把鍵盤、鼠標(biāo)、打印機(jī)、掃描儀、數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤等外圍設(shè)備連接到計(jì)算機(jī)，它使計(jì)算機(jī)與周邊設(shè)備的接口標(biāo)準(zhǔn)化，從2000年以后，支持USB2.0版本的計(jì)算機(jī)和設(shè)備已
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USB3.0的物理層接收端的測(cè)試方法(一)
USB3.0的Receiver測(cè)試的兩種方法由于USB3.0的速率高達(dá)5Gbps，在USB3.0規(guī)范中接收機(jī)測(cè)試成為必測(cè)項(xiàng)目。接收機(jī)測(cè)試包括了誤碼率測(cè)試和接收機(jī)抖動(dòng)容限測(cè)試兩部分。對(duì)于ReceiverCompliance測(cè)試，需要使用誤碼率測(cè)試儀BER
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USB3.0的物理層接收端的測(cè)試方法（二）
USB簡(jiǎn)介USB(UniversalSerialBus)即通用串行總線，用于把鍵盤、鼠標(biāo)、打印機(jī)、掃描儀、數(shù)碼相機(jī)、MP3、U盤等外圍設(shè)備連接到計(jì)算機(jī)，它使計(jì)算機(jī)與周邊設(shè)備的接口標(biāo)準(zhǔn)化，從2000年以后，支持USB2.0版本的計(jì)算機(jī)和設(shè)備已
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USB3.0的物理層接收端的測(cè)試方法(一)
USB3.0的Receiver測(cè)試的兩種方法由于USB3.0的速率高達(dá)5Gbps，在USB3.0規(guī)范中接收機(jī)測(cè)試成為必測(cè)項(xiàng)目。接收機(jī)測(cè)試包括了誤碼率測(cè)試和接收機(jī)抖動(dòng)容限測(cè)試兩部分。對(duì)于ReceiverCompliance測(cè)試，需要使用誤碼率測(cè)試儀BER
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一種低成本高效測(cè)試方法——合成測(cè)試系統(tǒng)
傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)通常將一些臺(tái)式儀器或特定儀器模塊組裝在機(jī)架上，構(gòu)成“機(jī)架堆疊”式測(cè)試系統(tǒng)，這種測(cè)試系統(tǒng)的局限性在于它們一般用來對(duì)一個(gè)元件、一個(gè)模塊或一個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，而沒有足夠的能力支持對(duì)大范
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一種低成本高效測(cè)試方法——合成測(cè)試系統(tǒng)
傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)通常將一些臺(tái)式儀器或特定儀器模塊組裝在機(jī)架上，構(gòu)成“機(jī)架堆疊”式測(cè)試系統(tǒng)，這種測(cè)試系統(tǒng)的局限性在于它們一般用來對(duì)一個(gè)元件、一個(gè)模塊或一個(gè)子系統(tǒng)進(jìn)行測(cè)試，而沒有足夠的能力支持對(duì)大范
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衰落及其測(cè)試方法介紹
一、 衰落 衰落從范圍上來講，大體分為三種情況：大區(qū)域衰落，小區(qū)域衰落和室內(nèi)衰落。如圖1所示，大區(qū)域衰落指的是信號(hào)在長(zhǎng)距離(幾百個(gè)波長(zhǎng)以上)傳播時(shí)的平均衰減，主要由大氣損耗，建筑物或大的物體如山丘、樹木
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基于最新的LED測(cè)試方法的LED光電特性的測(cè)試方案
一、引言 LED光電測(cè)試是檢驗(yàn)LED光電性能的重要而且唯一的手段，相應(yīng)的測(cè)試結(jié)果是評(píng)價(jià)和反映當(dāng)前我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平的依據(jù)。制定LED光電測(cè)試方法的標(biāo)準(zhǔn)是統(tǒng)一衡量LED產(chǎn)品光電性能的重要途徑，是使測(cè)試結(jié)果真實(shí)反映
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一種創(chuàng)新的晶圓級(jí)熱載子并行測(cè)試方法
引言 隨著VLSI集成度的日益提高，MOS器件尺寸不斷縮小至亞微米乃至深亞微米，熱載子效應(yīng)已成為最嚴(yán)重的可靠性問題之一。現(xiàn)今,為了降低成本,減少周期,不斷的提高工藝,晶圓級(jí)的器件可靠性測(cè)試愈來愈被廣泛的應(yīng)用?？v觀
