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ROHM開發(fā)出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)，開發(fā)出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓)，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都)，開發(fā)出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200V耐壓)，非常適用于要求高效率的服務器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。
