提升GaN SG HEMT性能：英飛凌推出全新EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200 V單通道門極驅(qū)動器系列產(chǎn)品

【2022 年 1 月 17日，德國慕尼黑訊】最大化減少研發(fā)和成本的投入，以及確保中壓氮化鎵(GaN)開關(guān)的穩(wěn)健和高效運(yùn)行，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)設(shè)計的幾個核心要求。英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)依照其戰(zhàn)略性設(shè)計GaN產(chǎn)品組合，不斷加強(qiáng)全系統(tǒng)解決方案，推出EiceDRIVER? 1EDN71x6G HS 200V單通道門極驅(qū)動器IC系列產(chǎn)品。新的系列產(chǎn)品不僅提升了CoolGaN?肖特基柵(SG)HEMT的性能，同時也可兼容其他GaN HEMT和硅MOSFET。該門極驅(qū)動器系列產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動器、電信、服務(wù)器、機(jī)器人、無人機(jī)、電動工具和D類音頻放大器等領(lǐng)域。