為什么氮化鎵(GaN)成為第三代半導體材料的杰出代表
氮化鎵雙向開關推動電力電子技術變革
作為領先的垂直整合制造商(IDM),英飛凌在 300mm氮化鎵生產路線圖方面取得突破
如何在開關模式電源中運用氮化鎵技術
意法半導體宣布擴大在新加坡的“Lab-in-Fab”廠內實驗室合作項目,推進壓電MEMS技術的開發(fā)應用
英飛凌推出650 V CoolGaN? G5雙向開關,提升功率系統(tǒng)的效率和可靠性
英飛凌推出用于高壓應用的EasyPACK? CoolGaN? 功率模塊,進一步擴大其氮化鎵功率產品組合
GaN 功率器件:提升電源管理設計的秘訣
GaN 車載應用已成趨勢
氮化鎵(GaN)快充芯片技術:小型化與能效提升的雙重突破