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晶圓形貌

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光學光刻和EUV光刻中的掩膜與晶圓形貌效應

半導體制造中微型化的進展使得光刻掩膜和晶圓上的幾何圖形不斷增加。準確模擬這些圖形產(chǎn)生的衍射要求運用精確的電磁場(EMF)模擬方法。這些方法是在給定的幾何形狀、材料參數(shù)和入射場(照明)條件下，用合適的數(shù)值方法解麥克斯韋方程組。

電子設計自動化
2017-11-14

euv 光學光刻光刻掩膜晶圓形貌

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