雙模H類耳機放大器MAX97200,設(shè)計用于電池供電的便攜設(shè)備。該款放大器采用Maxim專有的DirectDrive II技術(shù),可構(gòu)建效率極高的H類架構(gòu)。MAX97200的效率幾乎是AB類放大器的2倍
目前,有關(guān)低噪聲放大器的討論常常關(guān)注于RF/無線應(yīng)用,但實際應(yīng)用中,噪聲對于低頻模擬產(chǎn)品(如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器緩沖、應(yīng)變儀信號放大和麥克風(fēng)前置放大器)也有很大影響,是一項重要
各種類型低頻放大器,主要特點是,工作頻率范圍寬,放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫;這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級,故稱前置放大器,它的輸入信號幅度
0 引 言 智能儀表儀器通過傳感器輸入的信號,一般都具有“小”信號的特征:信號幅度很小(毫伏甚至微伏量級),且常常伴隨有較大的噪聲。對于這樣的信號,電路
0 引言在現(xiàn)代雷達接收機中,應(yīng)用最廣的結(jié)構(gòu)是超外差結(jié)構(gòu)。在該結(jié)構(gòu)中,單片系統(tǒng)往往需要片外濾波器去除鏡像信號,例如SAW濾波器,因而給系統(tǒng)的集成度帶來影響。為了達到一
獲得低PIM失真的慣有手法是展寬放大器的開環(huán)頻率。在要求電路既要有一定的開環(huán)增益,又要有足夠的開環(huán)頻寬的時候,采用電子管構(gòu)成的“共陰——柵地級聯(lián)放大
0 引言半導(dǎo)體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個階段。第一代半導(dǎo)體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表,主要應(yīng)用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖
一個理想的放大器,其輸出信號應(yīng)當(dāng)如實的反映輸入信號,即他們盡管在幅度上不同,時間上也可能有延遲,但波形應(yīng)當(dāng)是相同的.但是,在實際放大器中,由于種種原因,輸入信號
現(xiàn)代系統(tǒng)設(shè)計師正面對著許多設(shè)計挑戰(zhàn),從實現(xiàn)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的接口到維持其系統(tǒng)與模擬系統(tǒng)接口時的信號保真度等,他們很自然地轉(zhuǎn)向使用運算放大器來解決這些難題。因此,當(dāng)今的
寬帶放大器在工業(yè)測量與控制領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。在測量與控制電路中,寬帶放大器是調(diào)理傳感器輸出信號的重要環(huán)節(jié)。傳感器輸出的電平信號通常不是規(guī)則的正弦信號,且輸出電壓范圍
引言所有內(nèi)置音頻功放的設(shè)備,例如:立體聲系統(tǒng)、電視和多通道音視頻接收機,都有一個共同重要指標(biāo):輸出功率。這項指標(biāo)為最終用戶提供設(shè)備所能輸出的最大功率指示,多數(shù)客
不需要外加信號就能自動地把直流電能轉(zhuǎn)換成具有一定振幅和一定頻率的交流信號的電路就稱為振蕩電路或振蕩器。這種現(xiàn)象也叫做自激振蕩?;蛘哒f,能夠產(chǎn)生交流信號的電路就叫
MAX2640是一款低成本、低噪聲放大器,專為400MHz至2500MHz頻率范圍的應(yīng)用設(shè)計。本應(yīng)用筆記給出了針對470MHz至770MHz ISDB-T應(yīng)用對MAX2640 RF匹配電路的調(diào)整。通過優(yōu)化電路,
您坐下來為您的電路選擇合適的運算放大器 (op amp) 時,首先要做的便是確定系統(tǒng)通過該放大器進行傳輸?shù)男盘枎挕R坏┠_定下來這一點,您便可以開始尋找正確的放大器。來
采用小尺寸工藝設(shè)計的高性能ADC通常采用1.8V至5V單電源供電。為了處理±10 V或更大的信號,ADC一般前置一個放大器電路以衰減該信號,防止輸入端飽和。在信號包含大共
集成運算放大器(以下簡稱集成運放)以小尺寸、輕重量、低功耗、高可靠性等優(yōu)點廣泛應(yīng)用于眾多軍用和民用電子系統(tǒng),是構(gòu)成智能武器裝備電子系統(tǒng)的關(guān)鍵器件之一。近年來,隨
簡介 放大器的仿真模型通常是利用電阻、電容、晶體管、二極管、獨立和非獨立的信號源以及其它模擬元件來實現(xiàn)的。一種替代方法是使用放大器行為的二階近似(拉普拉斯轉(zhuǎn)換)
引 言 LNA用于接收機前端電路,主要用來放大從天線接收到的微弱信號,降低噪聲干擾,其噪聲指標(biāo)直接影響接收機的靈敏度,而靈敏度是通信接收機的關(guān)鍵指標(biāo)之一,所以LNA
1 引 言 目前,在高達數(shù)GHz的RF頻段范圍內(nèi),廣泛使用的是GaAs MESFET LNAs,其優(yōu)點是能夠在功率增益高達20 dB的同時,使噪聲系數(shù)低至大約1 dB。但隨著CMOS電路技術(shù)的成
當(dāng)今電子系統(tǒng)必須要能夠在前所未有的高溫條件下工作。渦輪發(fā)動機、油田設(shè)備和其他各種當(dāng)代以及新一代控制應(yīng)用要求器件能在超過200℃的溫度下工作。遺憾的是,集成電路的高溫