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改進(jìn)型多諧振蕩器電路a
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RC耦合自激多諧振蕩器電路
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常用非正弦振蕩器電路、波形及頻率計(jì)算公式-脈沖波振蕩器-單結(jié)晶體管間歇振蕩器
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常用非正弦振蕩器電路、波形及頻率計(jì)算公式-脈沖波振蕩器-變壓器間歇振蕩器
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常用非正弦振蕩器電路、波形及頻率計(jì)算公式-鋸齒波振蕩器-利用間歇振蕩器
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常用非正弦振蕩器電路、波形及頻率計(jì)算公式-鋸齒波振蕩器-利用多諧振蕩器
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常用非正弦振蕩器電路、波形及頻率計(jì)算公式-方波振蕩器-自激多諧振蕩器
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10MHz的晶體振蕩器電路圖
該晶體振蕩器是一個(gè)真空管的場(chǎng)效應(yīng)晶體管等價(jià)物，被調(diào)諧到板調(diào)網(wǎng)絡(luò)晶體振蕩器。反饋是通過(guò)損耗到達(dá)門(mén)電容的。
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用于單邊帶發(fā)射機(jī)的晶控本機(jī)振蕩器電路圖
該振蕩器可能包括幾個(gè)轉(zhuǎn)換晶體管，這些晶體管是用來(lái)提供信道化操作的。如果需要的話，可增加一個(gè)緩沖放大器。
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晶體振蕩器電路圖
該電路使用一個(gè)在其線性模型時(shí)偏置的LT1011比較儀，和一個(gè)用來(lái)設(shè)置諧振頻率的晶體管。該電路的頻率可達(dá)數(shù)百kHz，并且與溫度無(wú)關(guān)的時(shí)鐘頻率的占空比大約是50%。
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低功率5V驅(qū)動(dòng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器電路圖
低功率5V驅(qū)動(dòng)的溫度補(bǔ)償晶體振蕩器電路圖如下所示：
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變?nèi)荻O管—調(diào)諧10MHz陶瓷諧振振蕩器電路圖
場(chǎng)效應(yīng)晶體管輸入放大器有帶源頭反饋的固定偏壓。所以輸入阻抗很高而電容卻很低。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可驅(qū)動(dòng)一個(gè)射極跟隨器，盡管其輸出阻抗很低，并且以3:1的匝比供給一個(gè)變壓器供。結(jié)果陶瓷共振器的阻抗最低時(shí)只有幾歐姆。
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皮爾斯晶體振蕩器電路圖
該場(chǎng)效應(yīng)晶體管皮爾斯振蕩器很穩(wěn)定，也很簡(jiǎn)單。既可用作一個(gè)微處理器，也可用作一個(gè)數(shù)字計(jì)時(shí)器或者是計(jì)算器。其輸出端的探頭可用作檢修時(shí)精確的注入振蕩器。在輸出端加上一段很短的電線，該電路就成了一個(gè)微功率發(fā)射
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1MHz的場(chǎng)效應(yīng)晶體振蕩器電路圖
這個(gè)穩(wěn)定振蕩器電路在3-9V的電源范圍的變化不會(huì)超出1Hz。這個(gè)電路之所以這么穩(wěn)定，是由于使用了場(chǎng)效應(yīng)晶體管和穩(wěn)定的電容器。
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低噪音的晶體振蕩器電路圖
該振蕩器的輸出具有高光譜純度，并且很穩(wěn)定。晶體管除了決定振蕩器的頻率，還可用作一個(gè)不期望諧波的低通濾波器，和邊帶噪音的帶通濾波器。噪音帶寬限制在低于100Hz。所有更高的諧波實(shí)際上為4MHz的基本振蕩頻率的第三
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諧波晶體振蕩器電路圖
該振蕩器可用于工作頻率為20-100MHz的第三和第五模式下的諧波晶體中。工作頻率是由調(diào)諧電路決定的。
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科爾皮茲振蕩器電路圖
PNP型雙極晶體管的偏置是由電阻分壓器網(wǎng)絡(luò)R1/R2。振蕩晶體管的集電極一直保持電容C5的交流接地，C5非?？拷w管的位置。反饋是由電容分壓器C2/C3提供的。
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用于汞電池的晶控振蕩器電路圖
該電路是由一個(gè)單節(jié)1.35V汞電池供電的，提供1V的方波輸出。如圖所示，共射級(jí)裝置中的晶體管是位于晶體管Q1和Q2之間的調(diào)諧電路。R提供的正反饋會(huì)導(dǎo)致振蕩的發(fā)生。Q2的集電極型號(hào)被Q3調(diào)節(jié)成了正方形，在中斷和飽和之間
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高頻晶體振蕩器電路圖
一個(gè)MECL 10K的晶體振蕩器和一個(gè)MECL III倍頻器可組合成一個(gè)高速振蕩器，具體如圖所示。MC10101的一部分作為一個(gè)100MHz的晶體振蕩器和晶體管在反饋回路中串聯(lián)。液晶振蕩電路可調(diào)諧晶體管100MHz的諧波，也可用來(lái)校準(zhǔn)電
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IC兼容的晶體振蕩器電路圖
電阻R1和R2溫度穩(wěn)定與非門(mén)，它們保證了電門(mén)在開(kāi)啟的線性區(qū)域。電容C1是一個(gè)直流電組件，在工作頻率條件下，阻抗必須低于0.1歐姆。晶體管在一個(gè)串聯(lián)的共振模式中運(yùn)行。其串聯(lián)電阻很低，AT截法的晶體管在1-10MHz范圍內(nèi)
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