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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤
固態(tài)硬盤供應商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲器，未來也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話說，關閉電源后存儲器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠
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閃存終結者憶阻器或于2013年商用化
惠普實驗室資深院士Stan Williams聲稱，該公司自2008年開始研發(fā)，基于“憶阻器”技術的兩端點、非揮發(fā)性存儲器技術，可望在未來18個月內(nèi)投入市場，甚至取代閃存。“我們有很多相關計劃，也正和Hynix半
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取代NAND閃存，惠普和海力士擬于2013年推出憶阻器
（21ic電子網(wǎng)配圖）【OFweek電子工程網(wǎng)原創(chuàng)】：惠普實驗室高級研究員Stan Williams表示，惠普公司自2008年開始研發(fā)的憶阻器非易失性內(nèi)存技術將于一年半后上市，將搶占閃存芯片市場。Williams在國際電子論壇上表示：&
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五大突破性芯片技術 改變未來計算
請想象一下這樣一個世界：各種電子設備可以自己充電，音樂播放器可以終其壽命不停地播放歌曲，電池可以自充電，芯片可以實時改變其處理能力等等。根據(jù)美國各大實驗室正在研究的項目來看，所有這些事物并非沒有可能，
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2010年度硬件十大新聞 iPad一枝獨秀
2010年度硬件十大新聞 iPad一枝獨秀
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憶阻器技術準備邁向商業(yè)化
惠普(HP)近日宣布與韓國業(yè)者海力士(Hynix)簽署合作研發(fā)協(xié)議，旨在將憶阻器(memristor)技術商業(yè)化；這兩家公司將共同開發(fā)新的材料與制程整合技術，好將HP的憶阻器技術由研發(fā)階段，推向以電阻式隨機存取內(nèi)存(resistive
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美科學家開發(fā)出寬度5納米憶阻器
上世紀60年代，英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登·摩爾提出了著名的摩爾定律:集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。然而，芯片的進一步小型化遇到越來越多的技術局限。在傳統(tǒng)硅
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用憶阻器來模擬人腦學習過程
我們一般把人腦的位細胞叫做突觸(synapses)，美國密西根大學研究人員指出，憶阻器(memristor)的功能特性是所有的電子組件中與突觸最相近的;他們最近展示單一憶阻器如何以與人腦相同的方式來學習同樣的技術。 人類的
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可配置憶阻器將戰(zhàn)勝CPU？
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運作與內(nèi)存儲存之間動態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor)，其可配置架構展現(xiàn)了HP號稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過動態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來維持恒定內(nèi)存狀態(tài)，如此可
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可配置憶阻器：能否成為CPU終結者？
惠普(HP)展示了一款能在邏輯運作與內(nèi)存儲存之間動態(tài)轉(zhuǎn)換的憶阻器(memristor)，其可配置架構展現(xiàn)了HP號稱某天將可取代CPU器件的“狀態(tài)邏輯(stateful logic)”——也就是透過動態(tài)轉(zhuǎn)換的電路來維持恒定內(nèi)存狀態(tài)，如此可
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美制成與大腦突觸類似的憶阻器電路
幾乎從計算機問世那天起，科學家和技術人員就夢想著有朝一日計算機也能像人腦一樣工作。日前，美國密歇根大學的一個研究小組稱，他們制成了一種模擬大腦突觸的憶阻器電路，證實了此前關于憶阻器能用于電腦神經(jīng)網(wǎng)絡制
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后危機時代，傳統(tǒng)電子組件迎來創(chuàng)新與變革
目前，在一個典型的電子產(chǎn)品中，IC和分立的傳統(tǒng)元件占全部電子元器件及零部件的生產(chǎn)總成本的約50%和10%，而在總安裝成本中情況恰恰相反，分立元件的安裝成本占據(jù)了50%，某些片式元件的管理和安裝成本已經(jīng)超過其價格。
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DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
據(jù)港臺媒體報道，美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項技術雖然相
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DRAM替代品現(xiàn)身 軟性憶阻器開啟內(nèi)存科技新大門
據(jù)港臺媒體報道，美國國家標準和技術研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開新的大門。這項技術雖然相
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美研制出納米級憶阻器芯片
美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶阻器
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美研制出納米級憶阻器芯片
美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。 憶
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美研制出納米級憶阻器芯片
本報訊美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產(chǎn)業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。憶
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HP實驗室展示集CMOS電路與憶阻器3D芯片
據(jù)電子工程專輯報道，惠普實驗室(HP Labs)日前在加州柏克萊(Berkeley)舉行的一場研討會上，介紹了該機構正在研發(fā)中的首款3D憶阻器(memristor)芯片原型。該原型是惠普研究人員Qiangfei Xia將憶阻器縱橫栓(crossbar)內(nèi)
