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什么是硅穿孔技術(shù)
隨著科技的飛速發(fā)展，微電子技術(shù)已成為現(xiàn)代社會(huì)不可或缺的一部分。在這個(gè)領(lǐng)域中，硅穿孔技術(shù)(Through-Silicon Via, TSV)正逐漸嶄露頭角，成為連接微電子器件內(nèi)部和外部世界的橋梁。本文將詳細(xì)介紹硅穿孔技術(shù)的概念、原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
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微電子器件概述
微電子器件(英語：Microelectronic Devices)主要是指能在芯片上實(shí)現(xiàn)的電阻、電容、晶體管，有的特殊電路也將用到電感。
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韓科學(xué)家在微電子器件中直接合成石墨烯
韓國科學(xué)家在硅襯底上成功合成了直徑為4英寸的高質(zhì)量多層石墨烯，使石墨烯在硅材料微電子應(yīng)用商業(yè)化方面邁近了一步。 通過高溫碳離子注入技術(shù)，研究者們在鎳/二氧化硅/硅襯
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意法半導(dǎo)體（ST）將通過網(wǎng)絡(luò)直播投資者與分析師會(huì)議實(shí)況
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布于5月12日(星期二)在英國倫敦召開的2015年投資者與分析師會(huì)議將通過網(wǎng)絡(luò)直播會(huì)議實(shí)況。英國標(biāo)準(zhǔn)時(shí)間(BST, British Standard Ti
