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尖端技術突破：全球第一座“氮化鎵芯片”生產基地
中國科技企業(yè)英諾賽科(蘇州)半導體有限公司已經(jīng)實現(xiàn)了技術突破，在可替代材料“硅基氮化鎵”上已經(jīng)完成了量產，已經(jīng)建立了生產線，并且完成了對于8英寸硅基氮化鎵晶圓的量產。
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