射頻應(yīng)用

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如何在射頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)超快速電源暫態(tài)響應(yīng)

本文展現(xiàn)了在無線尤其是在射頻領(lǐng)域應(yīng)用中，實(shí)現(xiàn)超快速電源瞬態(tài)響應(yīng)的實(shí)用方法。其旨在解決由于電源瞬態(tài)消隱時(shí)間，給系統(tǒng)設(shè)計(jì)開發(fā)者帶來的信號(hào)處理效率低下的問題與挑戰(zhàn)。針對(duì)不同的應(yīng)用，ADI提出了相應(yīng)的示例解決方案，并引入了Silent Switcher 3單片電源產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)最佳瞬態(tài)性能。

ADI
2022-10-31

ADI 射頻應(yīng)用
用于下一代射頻應(yīng)用的氮化鎵 (GaN) 概述

近二十年來，氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體技術(shù)已被曝光，預(yù)示著射頻功率能力的范式轉(zhuǎn)變。盡管所有這些承諾尚未兌現(xiàn)，但 GaN 器件已穩(wěn)步進(jìn)入許多射頻、微波、毫米波 (mmWave)，甚至現(xiàn)在甚至是太赫茲波 (THz) 應(yīng)用。

功率器件
2022-09-07

GaN 射頻應(yīng)用
GaN 將射頻應(yīng)用推向新的階段

氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，可滿足高功率和射頻應(yīng)用日益增長(zhǎng)的需求。GaN 的帶隙是傳統(tǒng)硅的三倍以上，它允許功率器件在比硅更高的溫度和電壓下工作，而不會(huì)破壞或降低其性能和可靠性。此外，其極低的導(dǎo)通電阻使 GaN 能夠提供非常高的電流和射頻功率密度，在雷達(dá)、功率轉(zhuǎn)換器和功率放大器等高功率射頻系統(tǒng)中得到應(yīng)用。

功率器件
2022-07-20

氮化鎵GaN 射頻應(yīng)用
氮化鎵的卓越表現(xiàn)：推動(dòng)主流射頻應(yīng)用實(shí)現(xiàn)規(guī)?；?、供應(yīng)安全和快速應(yīng)對(duì)能力

數(shù)十年來，橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)技術(shù)在商業(yè)應(yīng)用中的射頻半導(dǎo)體市場(chǎng)領(lǐng)域起主導(dǎo)作用。如今，這種平衡發(fā)生了轉(zhuǎn)變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術(shù)成為接替?zhèn)鹘y(tǒng)LDMOS技術(shù)的首選技術(shù)。

通信技術(shù)
2018-03-05

macom 硅基氮化鎵射頻應(yīng)用

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