存儲器
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新一代存儲器或在華量產(chǎn)
“我準(zhǔn)備把新一代存儲技術(shù)帶到中國！”美國工程院院士馬佐平在華人論壇上的演講中表示，相變存儲器將是未來存儲的方向。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主任。憑借在研發(fā)“互補(bǔ)性氧化金屬半導(dǎo)體
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M3G測試方案為高級內(nèi)存提供低廉的測試成本
惠瑞捷 (Verigy)推出了全新的 HSM3G 高速存儲器測試解決方案，進(jìn)一步拓展了面向 DDR3世代主流存儲器 IC 和更高級存儲器件測試能力的 V93000 HSM 平臺。V93000 HSM3G 獨(dú)特的優(yōu)勢在于其未來的可升級性，能夠?yàn)閿?shù)據(jù)傳輸
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ATE市場復(fù)蘇 Verigy布局高端存儲器市場
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的整體復(fù)蘇，2010年ATE市場預(yù)計(jì)也將翻番。但存儲器行業(yè)由于2009年產(chǎn)能的下降及奇夢達(dá)的破產(chǎn)，二手ATE測試設(shè)備還處于消化過程中。為布局即將增長的存儲器測試市場，Verigy推出了全新的適用于未來3代高速
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基于PCIe總線的超高速信號采集卡的設(shè)計(jì)
摘要：設(shè)計(jì)一種基于PCIe總線的不間斷采樣和傳輸?shù)某咚贁?shù)據(jù)采集卡。利用雙400MHz、14位AID轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)了800 MHz、14位的信號高速、高精度采集，論述了利用Xilinx公司FPGA的IPCORE設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)PCIe總線控制接口。基于PCIe
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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有望在合作中實(shí)現(xiàn)“跨越趕超”
“中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有著良好的基礎(chǔ)，如果要趕超世界先進(jìn)水平，必須要找準(zhǔn)方向、加強(qiáng)合作。”現(xiàn)任美國國家工程院院士馬佐平２６日在廣州接受新華社記者采訪時(shí)說。出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學(xué)教授、電機(jī)系主
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惠瑞捷在韓安裝首款V93000 HSM6800測試機(jī)
半導(dǎo)體測試公司惠瑞捷 (Verigy)在韓國一家不具名客戶的生產(chǎn)廠內(nèi)安裝并驗(yàn)證其首款可生產(chǎn)的V93000 HSM6800系統(tǒng)。這套新系統(tǒng)是唯一的一款面向當(dāng)今 GDDR5超快存儲集成電路 (IC)（運(yùn)行速度超過每接腳4 Gbps）的快速高良
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NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖醞釀大挪移 臺廠大舉擴(kuò)產(chǎn)
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NOR Flash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲，盡管各家NOR Flash廠對于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲，但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能，飛索(Spansion)脫
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NOR Flash產(chǎn)業(yè)版圖醞釀大挪移臺廠大舉擴(kuò)產(chǎn)
2010年存儲器市場最夯產(chǎn)品非NORFlash莫屬，從年初開始供貨吃緊且價(jià)格一路飛漲，盡管各家NORFlash廠對于第3季價(jià)格都是持續(xù)看漲，但產(chǎn)業(yè)供需結(jié)構(gòu)卻是暗潮洶涌，其中，旺宏與華邦大舉擴(kuò)充12寸廠產(chǎn)能，飛索(Spansion)脫離
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臺積電的0.25μm一次寫入型存儲器獲得車載質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
臺積電（TSMC）宣布，該公司0.25μm的OTP（OneTimeProgrammable）存儲器IP獲得了美國汽車電子設(shè)備協(xié)會（AutomotiveElectronicCouncil，AEC）的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade1”規(guī)格認(rèn)證（參閱英文發(fā)布資料）。臺積電已經(jīng)在0.2
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半導(dǎo)體業(yè)形勢一片叫好 芯片平均售價(jià)卻下降
市場調(diào)研公司Future Horizons創(chuàng)始人Malcolm Penn在第二季度半導(dǎo)體業(yè)績持續(xù)叫好時(shí)，看到芯片制造商卻采取愚蠢的行為，甚至在芯片交貨期延長情況下讓芯片的售價(jià)下降。Penn認(rèn)為某些芯片制造商一味追求擴(kuò)大市場份額與為了
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力晶聚焦NAND Flash 挑戰(zhàn)20納米
近期臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場，3方人馬點(diǎn)燃臺灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash
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臺積電0.25μm一次寫入型存儲器獲得車載質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q100認(rèn)證
臺灣臺積電（TSMC）宣布，該公司0.25μm的OTP（One TimeProgrammable）存儲器IP獲得了美國汽車電子設(shè)備協(xié)會（Automotive ElectronicCouncil，AEC）的“AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)Grade 1”規(guī)格認(rèn)證。 臺積電已經(jīng)在0.25μm和0.
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分析美光沖得那么快能堅(jiān)持多久？
編者點(diǎn)評：存儲器是半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。它的特點(diǎn)起伏大，幾乎每十年有一次大的變動及盈利一年要虧損2-3年。另一個(gè)是反映半導(dǎo)體制造工藝能力水平，通常新建生產(chǎn)線會采用SRAM工藝來通線及會盡可能的采用最先進(jìn)工藝技術(shù)。
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存儲器新技術(shù)應(yīng)用優(yōu)勢探討
隨著新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)以及原有技術(shù)的改進(jìn)，存儲器組合也在不斷發(fā)生變化，以前未曾聽說的存儲器技術(shù)現(xiàn)在已經(jīng)得到普遍使用。例如，上網(wǎng)本已經(jīng)開始配備固態(tài)存儲器，這種存儲器能滿足上網(wǎng)本更低的功耗要求，從而
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基于MAXl01A的1GHz數(shù)字射頻存儲器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
摘要：給出了利用兩個(gè)采樣速率為500MHz的超高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器MAXlOlA來交替采樣以實(shí)現(xiàn)1GHz采樣速率的實(shí)現(xiàn)方法，同時(shí)分析了MAXlOlA的原理特點(diǎn)以及在系統(tǒng)中的應(yīng)用。該方法采用了可編程邏輯器件作為控制器和數(shù)據(jù)緩存器，因
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臺封測廠資本支出全年增幅逾40%
由于半導(dǎo)體景氣優(yōu)于預(yù)期，已有5家封測廠表態(tài)上調(diào)資本支出，包括華東、力成、日月光、矽格和矽品，合計(jì)比先前金額提高超過40%，盡管資本支出大舉攀高再度引發(fā)外界對過度投資疑慮，惟封測廠皆表示，主要系看到客戶需求
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聯(lián)電、爾必達(dá)第2階段合作朝交*持股進(jìn)行
邏輯和DRAM技術(shù)跨產(chǎn)業(yè)合作大戲正式登場，聯(lián)電、爾必達(dá)(Elpida)攜手開發(fā)TSV技術(shù)的簽約儀式將于21日召開記者會對外宣布；值得注意的是，業(yè)界透露，雙方技術(shù)合作僅是第1階段，未來第2階段考慮以交*持股的方式，讓雙方的
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煙霧探測器IC RE46C16X（Microchip）
Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今天宣布，推出業(yè)界首款具備報(bào)警存儲器的離子式和光電式煙霧探測器IC。低功耗RE46C162/3離子式和RE46C165/6/7/8（RE46C16X）光電式煙霧探測器IC可以很方便地迅速確定相
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市場轉(zhuǎn)好 WSTS及 SIA提高預(yù)測
如果您是半導(dǎo)體業(yè)的預(yù)言者，六個(gè)月過去將作什么調(diào)整？隨著前幾個(gè)月半導(dǎo)體業(yè)轉(zhuǎn)入增長時(shí)代，WSTS及SIA將調(diào)整去年11月的預(yù)測，而作新的2010年半年預(yù)測。目前WSTS對于2010年非常樂觀，與先前的預(yù)測相比，增加3倍達(dá)29％為
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海力士中國大陸第2座存儲器封測工廠落成
韓聯(lián)社(Yonhap)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix Semiconductor)在中國大陸的第2座存儲器封測工廠已落成。這座廠房名為Hitech半導(dǎo)體封裝測試公司，位于江蘇無錫，是與無錫太極實(shí)業(yè)合資的企業(yè)，由海力士持有45%股權(quán)，太極實(shí)業(yè)擁有剩
