出生于甘肅蘭州的馬佐平現(xiàn)任美國耶魯大學(xué)教授、電機系主任。憑借在研發(fā)“互補性氧化金屬半導(dǎo)體”閘介極科技方面的卓越貢獻，馬佐平成為美國半導(dǎo)體微電子科技領(lǐng)域的權(quán)威。目前,馬佐平正領(lǐng)導(dǎo)著新一代存儲設(shè)備的研發(fā)。

馬佐平說，長期以來，廣東的微電子產(chǎn)業(yè)主要以低端的裝配為主，芯片等的研發(fā)速度相對較慢。除中芯國際在深圳的加工工廠外，研發(fā)力量十分薄弱。他說，世界存儲器領(lǐng)域正面臨著新一輪的變革，閃存和動態(tài)記憶存儲在未來3到5年內(nèi)將達到極限,無法再繼續(xù)縮小尺寸、增加密度。

“相變存儲器是未來發(fā)展方向，將逐步取代閃存、磁盤等?！彼榻B說，三星、IBM等三家世界級的公司正瞄準(zhǔn)這一領(lǐng)域發(fā)力,而馬佐平正是IBM的合作者。“我們明年可能在中國大陸實現(xiàn)量產(chǎn)，不過是代工。預(yù)計到2014年以后考慮設(shè)廠,正在跟蘇州、天津和廣州等地談?！瘪R佐平透露。