瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái),似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nmNAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤(pán)超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開(kāi)發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問(wèn)世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack 存儲(chǔ)技術(shù)首見(jiàn)于2004年
不久之前Micron公司表現(xiàn)為技術(shù)有些滯后,然而最近以來(lái)此家存儲(chǔ)器制造商開(kāi)始追趕上來(lái),似乎在NAND方面己經(jīng)超過(guò)它的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。Micron公司正在進(jìn)行25nm NAND生產(chǎn)線的量產(chǎn)準(zhǔn)備工作,計(jì)劃近期將完成。在DRAM方面,它們正進(jìn)行
據(jù)Tech Review報(bào)導(dǎo),IBM超高密度 Racetrack 存儲(chǔ)器開(kāi)發(fā)又有新的進(jìn)展,據(jù)稱這一新型存儲(chǔ)器同時(shí)具有硬盤(pán)超高容量與閃存微型、高速、耐用的特性。按照目前的開(kāi)發(fā)進(jìn)程,原型產(chǎn)品預(yù)估可望于2年內(nèi)問(wèn)世。據(jù)報(bào)導(dǎo),Racetrack
摘 要:通過(guò)在現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列器件中構(gòu)建軟核處理器(NIOSⅡ)來(lái)代替專用集成電路,并在NIOSⅡ中嵌入C程序,根據(jù)給定的規(guī)模,自動(dòng)實(shí)現(xiàn)了在不同規(guī)模下的各種設(shè)計(jì)參數(shù)的計(jì)算。實(shí)現(xiàn)了只需要輸入系統(tǒng)參數(shù),就能適用
基于FPGA的空間存儲(chǔ)器糾錯(cuò)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)研究
基于SOPC適用于不同規(guī)格LCOS的控制器設(shè)計(jì)
英特爾(Intel)跨足NANDFlash產(chǎn)業(yè)邁入第5年,但近期在策略上有諸多調(diào)整,引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注,包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠將于2011年投產(chǎn),卻不見(jiàn)英特爾投資身影,近期英特爾在亞太區(qū)NANDFlash操盤(pán)
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤(pán)上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會(huì)取代原子,能讓硬盤(pán)上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒(méi)有最終會(huì)讓快閃位元單元耗損的疲乏機(jī)制(fatigue mechanisms)。目前的固態(tài)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器如快閃存
FutureHorizons的創(chuàng)始人及分析師MalcolmPenn認(rèn)為全球半導(dǎo)體業(yè)受2009年的金融危機(jī)的影響,到2010年耀眼的超過(guò)30%的增長(zhǎng),所以進(jìn)入2011年將回歸到正常年景,增長(zhǎng)6%。Penn在演講會(huì)上說(shuō),明年產(chǎn)業(yè)將回顧到正常增長(zhǎng),據(jù)
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NANDFlash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(ResistiveRandom-AccessMemory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出
全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器,計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”,將廣邀存儲(chǔ)器
臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光,由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn),全球大廠紛競(jìng)逐下世代技術(shù),近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下,研
隨著可攜式裝置功能益趨復(fù)雜多元,同時(shí)體積要求輕薄、資料傳輸快速等要求,芯片線路設(shè)計(jì)也走向高階的3DIC,全球相關(guān)廠商間的3DIC策略聯(lián)盟亦紛紛成立。根據(jù)估計(jì),3DIC在手機(jī)應(yīng)用的產(chǎn)值將會(huì)在2015年增加到新臺(tái)幣1,100億
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次的
華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo),東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能,普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。東芝表示,這次
1.引言 RFID(射頻識(shí)別)技術(shù)是從上世紀(jì)80 年代走向成熟的一項(xiàng)自動(dòng)識(shí)別技術(shù),近年來(lái)發(fā)展十分迅速。其技術(shù)的覆蓋范圍廣泛,許多正在應(yīng)用中的自動(dòng)識(shí)別技術(shù)都可以歸于RFID 技術(shù)之內(nèi),但它們的工作原理、工作頻率、
“未來(lái)5年,IC設(shè)計(jì)業(yè)面臨的問(wèn)題依然是做大做強(qiáng)。而做強(qiáng)必然是大到一定程度上才能實(shí)現(xiàn)的。做大是外延的擴(kuò)張,做強(qiáng)是內(nèi)涵的增長(zhǎng)。如今產(chǎn)業(yè)鏈的合作模式正向虛擬一體化模式演進(jìn),代工廠也在通過(guò)一些資本的力量,基