CPU和解碼芯片的存儲器、SD存儲卡插座接口電路
隨著信息時代的發(fā)展,存儲器被廣泛應用于跟數(shù)據(jù)存儲有關的各個行業(yè),從IT、數(shù)碼行業(yè)到娛樂、醫(yī)療、辦公等等。發(fā)展半導體存儲器產業(yè)有利于改變我國存儲器核心技術完全受制于
日前,本報記者獲悉,三星電子近期加快了產品技術研發(fā)步伐,先是在行業(yè)首次研發(fā)出了30納米級(1納米為10億分之一米)4Gb (gigabit)LPDDR3(Low Power Double Data Rate 3)移
21ic訊 中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒,中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自
21ic訊 武漢東湖新技術開發(fā)區(qū)管委會在武漢組織召開了武漢新芯“三維數(shù)據(jù)型閃存(3D NAND Flash)技術開發(fā)及產業(yè)化”項目可行性專家評審會,業(yè)內專家對該項目的技術
對現(xiàn)有EDA供應商來說,多核處理器的出現(xiàn)為他們平添了“幾分歡喜幾分愁”。歡喜之處在于,隨著晶體管數(shù)量在65nm及更小工藝下飆增,多核平臺能提供更多必需的計算能
目前,市場上的許多系統(tǒng)在單核處理器上運行它們的控制和數(shù)據(jù)層以及附加的服務。然而,由于存在系統(tǒng)功率預算問題,單核處理器已經逼近了頻率的極限,這個問題采用晶體管技術
CPU的輸入與輸出和存儲器控制電路
在花費多年時間進行研究后,IBM已成為首家在商用處理器中搭載交換式存儲器(transactional memory)的公司。IBM 為 Lawrence Livemore 國家實驗室所開發(fā)的 Sequoia 超級計算機
受日本地震影響,多數(shù)日系存儲產品及元器件價格出現(xiàn)上漲尚“情有可原”,但近日,《每日經濟新聞》記者了解到,深圳華強北電子市場很多非日系存儲產品竟也隨之漲
世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器,W系列器件帶有串口I2C、SPI接
瑞薩電子株式會社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡設備的高速存儲器產品576Mb(Mbit)低時延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、&
Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 的MaxArias™無線存儲器榮獲《電子技術應用》雜志2010年度優(yōu)秀產品獎。《電子技術應用》雜志是中國領先的電子/IT雜
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue me
摘要:降低多媒體算法的復雜性和存儲器需求對于存儲器資源和運算能力都很有限的嵌入式設備是十分重要的。在極低碼率應用時,JPEG存在嚴重的方塊效應,JPEG2000具有極高的運算
磁自旋(magnetic spin)神奇的地方在于,它不會取代原子,能讓硬盤上壁壘式的磁疇(walled domains)在1與0之間切換,又沒有最終會讓快閃位元單元耗損的疲乏機制(fatigue me
相變存儲器(phase-change memory,PCM) 已經悄悄現(xiàn)身在手機產品中?根據(jù)工程顧問機構 UBM TechInsights 的一份拆解分析報告,發(fā)現(xiàn)在某款神秘手機中,有一顆由三星電子(Sams
O 引言隨著航空航天航海等技術的發(fā)展,無論是星載還是艦載方面的技術要求,都迫切希望有一種能夠在惡劣環(huán)境(高溫、低溫、振動)下正常工作,并且易于保存的大容量視頻記錄設
美國加州理工學院(California Institute of Technology,Caltech)已經證實,量子纏結(quantum entanglement)能同步傳遞整個量子信息區(qū)塊(block),為將來的“量子硬盤
1. Vxworks下的高速緩沖存儲器一致性問題美國風河(WindRiver)公司的VxWorks是目前最先進的實時嵌入式操作系統(tǒng)。Tornade是它的集成一體開發(fā)環(huán)境。然而,vxWorks下編程硬件驅