調查稱英半數(shù)企業(yè)面閃存盤數(shù)據(jù)泄密危險

由英國政府有關部門資助的一項調查顯示，超過一半的英國企業(yè)尚未采取足夠的安全措施，以保證手機和閃存盤中的數(shù)據(jù)安全。 據(jù)英國廣播公司4月27日報道，對于英國企業(yè)的信息安全來說，智能手機、iPod(美國蘋果

ATDF為Elpida開展FinFET存儲器研究

Sematech產業(yè)聯(lián)盟的全資子公司Advanced Technology Development Facility(ATDF)已經同意為Elpida Memory公司生產基于FinFET以及新型存儲器技術的晶圓。 ATDF與日本的主要DRAM制造商Elpida公司達成了兩個項目協(xié)議，評

3-D芯片研發(fā)期待大型半導體公司的加盟

今年也許是三維(3-D)芯片走出研發(fā)階段的一年。但是業(yè)界專家指出，為了實現(xiàn)縱維連接電路的真正進展，大型半導體公司將必須帶頭開路，因為只有他們才同時擁有成功所需的設計和制造專業(yè)技能。 與此同時，幾家新創(chuàng)公司已

三星要做首家批量生產80納米DDR2存儲器廠商

美國東部時間3月13日（北京時間3月14日）消息：三星電子公司宣稱它將成為批量生產80納米制程的512Mb的DDR 2 DRam（動態(tài)隨機讀寫存儲器）的第一家廠商。 三星電子公司說，公司依靠其80納米制程生產工藝可以將先

赤鑄：為了舌頭和腳——權做新年賀辭，與諸君共勉

“……我說天上一日，下界就是一年。這一年之間，那妖精把你師父，陷在洞中，莫說成親，若有個喜花下兒子，也生了一個小和尚兒，卻不誤了大事？”

日本立體大規(guī)模集成電路有望突破極限

日本東北大學研究人員開發(fā)出由10個半導體芯片層疊而成的立體大規(guī)模集成電路，打破了此前3個芯片層疊的紀錄。專家稱該技術有望突破大規(guī)模集成電路極限。 以往的大規(guī)模集成電路(LSI)是在一個芯片平面上布置電路，隨著集

日立與瑞薩開發(fā)MOS相位轉換存儲器單元

用PowerPC實現(xiàn)高帶寬 TCP/IP 性能

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μPSD中存儲器系統(tǒng)的配置

介紹μPSD的存儲器系統(tǒng)內部結構和配置方法，討論了相關PSDSOFT軟件的使用方法。

韓國開發(fā)變阻存儲器元件原創(chuàng)技術

韓國產業(yè)資源部近日宣布，韓國光州科學技術院教授黃賢尚領導的科研小組成功開發(fā)出了變阻存儲器（ＲｅＲＡＭ－Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ?。遥幔睿洌铮怼。粒悖悖澹螅蟆。停澹恚铮颍┰暮诵脑瓌?chuàng)技術，這一技術足以克

Renesas 采用自旋轉移技術的65 nm MRAM