近日從東北師范大學物理學院獲悉,在國家自然科學基金、國家重大科學研究計劃和教育部資助下,該校物理學院教授劉益春團隊湯慶鑫課題組利用有機微納單晶,構造出了一種具有高靈敏度、低檢測下限、快速響應及完全恢復
21ic訊 宜普電源轉換公司(EPC)宣布推出內含增強型氮化鎵場場效應晶體管的EPC9005開發(fā)板,展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅動器可幫助工程師簡單地及以低成本從硅器件轉而采用氮化鎵技
21ic訊 宜普電源轉換公司(EPC)在2013年3月宣布推出EPC9010開發(fā)板。這種開發(fā)板能使工程師更方便地使用宜普100 V增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管(FET)來設計產品。受益于eGaN FET性能的應用包括高速直流-直流電源、負
21ic訊 宜普電源轉換公司(EPC)在2013年2月5日宣布推出采用增強型氮化鎵場效應晶體管的EPC9004開發(fā)板,展示最新推出、專為驅動氮化鎵場效應晶體管而優(yōu)化的集成電路柵極驅動器,可幫助設計工程師簡單地及以低成本從硅功
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近日,晶體材料國家重點實驗室陶緒堂教授領導的課題組在有機場效應晶體管(Organic Field Effect Transistors,OFET)研究方面取得重要進展。相關成果以“Three-Dimensional Charge Transport in Organic Semicon
據(jù)物理學家組織網(wǎng)近日報道,一個日本研究團隊開發(fā)出如一張紙般可被揉成團的全碳納米晶體管,其電子性能卻不發(fā)生減退。該研究成果發(fā)表在美國《應用物理快報》上。這項研究的合作者之一、東京大學的機械工程教授丸山茂
據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)8月29日報道,一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料,其結構穩(wěn)定,擁有卓越的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現(xiàn)代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管??茖W家們
21ic訊 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。EPC2012 FET是一
21ic訊 宜普電源轉換公司宣布推出第二代增強性能氮化鎵場效應晶體管(eGaN® FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質限制)條例。EPC2012 FET是一
美國科學家使用自主設計的、精確的原子逐層排列技術,構造出了一個超薄的超導場效應晶體管,以洞悉絕緣材料變成高溫超導體的環(huán)境細節(jié)。發(fā)表于當日出版的《自然》雜志上的該突破將使科學家能更好地理解高溫超導性,加
近日,中科院微電子所依靠獨立開發(fā)的全新技術,成功研制出國內首個ZnO納米棒場效應晶體管。 ZnO是一種新型寬禁帶多功能半導體材料。ZnO納米材料(納米線、納米棒、納米帶、納米環(huán)等等)具有較常規(guī)體材料更為優(yōu)越的性能