摘 要 介紹了一種用單片機構(gòu)成環(huán)境噪聲測量系統(tǒng)的設(shè)計方法,給出了相關(guān)硬件框圖和軟件流程圖。經(jīng)校正測量誤差小于1dB,測量范圍為40~96dB,可用于一般環(huán)境下的噪聲測量。關(guān)鍵詞 單片機 環(huán)境噪聲 聲壓級 測
摘 要 介紹了一種用單片機構(gòu)成環(huán)境噪聲測量系統(tǒng)的設(shè)計方法,給出了相關(guān)硬件框圖和軟件流程圖。經(jīng)校正測量誤差小于1dB,測量范圍為40~96dB,可用于一般環(huán)境下的噪聲測量。關(guān)鍵詞 單片機 環(huán)境噪聲 聲壓級 測
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應用。但是,MOSFET中的低頻噪聲,尤其是較高頻率的1/f噪聲,是模擬和射頻電路應用中人們關(guān)注的重要因素。此外,隨著器件特征尺寸的縮小,1/f噪聲會大大增加[參考文獻
1. 引言 MOSFET在模擬和射頻電路中得到了廣泛的應用。但是,MOSFET中的低頻噪聲,尤其是較高頻率的1/f噪聲,是模擬和射頻電路應用中人們關(guān)注的重要因素。此外,隨著器件特征尺寸的縮小,1/f噪聲會大大增加[參考文獻