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應(yīng)對FinFET挑戰(zhàn) 新思科技Customs Compiler簡化定制設(shè)計
隨著英特爾、三星和臺積電全面量產(chǎn)14/16納米工藝，且積極朝10納米、7納米邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已正式跨入FinFET時代。不過，F(xiàn)inFET工藝節(jié)點無論在設(shè)計上，還是制造端，都對工程師提出更多挑戰(zhàn)，特別是模擬與數(shù)字的混合電
隨著英特爾、三星和臺積電全面量產(chǎn)14/16納米工藝，且積極朝10納米、7納米邁進(jìn)，半導(dǎo)體技術(shù)已正式跨入FinFET時代。不過，F(xiàn)inFET工藝節(jié)點無論在設(shè)計上，還是制造端，都對工程師提出更多挑戰(zhàn)，特別是模擬與數(shù)字的混合電
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