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二極管反向恢復(fù)機(jī)理是什么？二極管反向恢復(fù)軟度介紹
今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)?lái)二極管的有關(guān)報(bào)道，通過(guò)閱讀這篇文章，大家可以對(duì)它具備清晰的認(rèn)識(shí)，主要內(nèi)容如下。
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減輕 MOSFET 體二極管的反向恢復(fù)過(guò)沖
由于 SiC MOSFET 尺寸緊湊、效率更高，并且在高功率應(yīng)用中具有卓越的性能，因此目前正在開關(guān)應(yīng)用中取代 Si 器件。 SiC 器件可實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)時(shí)間，從而顯著降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢(shì)源于 SiC 器件獨(dú)特的電氣和材料特性——MOSFET 體二極管結(jié)構(gòu)固有的快速反向恢復(fù)，這削弱了 SiC MOSFET 的優(yōu)勢(shì)。在快速反向恢復(fù)事件期間，設(shè)備可能會(huì)經(jīng)歷較大的電壓尖峰，從而給設(shè)備和整個(gè)系統(tǒng)帶來(lái)風(fēng)險(xiǎn)。其他設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)包括增加的電磁干擾 (EMI) 和意外故障，例如假柵極事件或寄生導(dǎo)通 。幸運(yùn)的是，您可以減輕這些影響，從而優(yōu)化系統(tǒng)性能。
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如何理解二極管的反向恢復(fù)過(guò)程？
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過(guò)程
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二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
二極管從正向?qū)ǖ浇刂褂幸粋€(gè)反向恢復(fù)過(guò)程
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關(guān)于二極管的反向恢復(fù)過(guò)程
產(chǎn)生反向恢復(fù)過(guò)程的原因――電荷存儲(chǔ)效應(yīng)產(chǎn)生上述現(xiàn)象的原因是由于二極管外加正向電壓VF時(shí)，載流子不斷擴(kuò)散而存儲(chǔ)的結(jié)果。當(dāng)外加正向電壓時(shí)Ｐ區(qū)空穴向Ｎ區(qū)擴(kuò)散，Ｎ區(qū)電子向Ｐ區(qū)擴(kuò)散，這樣，不僅使勢(shì)壘區(qū)（耗盡區(qū)）變窄，而且使載流子有相當(dāng)數(shù)量的存儲(chǔ)，在Ｐ區(qū)內(nèi)存儲(chǔ)了電子
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