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GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。更高的開關(guān)頻率將減小元件尺寸，從而減小成本、系
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19寸TCL電視機(jī)有聲無影芯片級(jí)維修案例
無圖像原因很多，高壓板、邏輯板、主板、屏幕都有可能，開機(jī)聲音正常，說明CPU開機(jī)是沒有問題的!拆機(jī)檢測(cè)為準(zhǔn)，通電開機(jī)測(cè)量高壓板沒工作，順便簡(jiǎn)單闡述一下我測(cè)量高壓板
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USB 5V充電器分立器件電路剖析講解，開關(guān)電源基礎(chǔ)知識(shí)學(xué)習(xí)和實(shí)踐
USB 5V充電器應(yīng)用廣泛，手機(jī)、MP3、MP4、USB電子音箱、電子學(xué)習(xí)機(jī)、電子詞典、移動(dòng)應(yīng)急電源、充電寶、無線設(shè)備等。本開關(guān)電源充電器電路具有過流過載短路保護(hù)功能，電路原理
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25個(gè)電磁爐維修案例分享
專題：九陽電磁爐故障維修機(jī)型：九陽JYC-21**X JYCP-21TD1 ZH75505 VER：A/0故障：斷續(xù)加熱維修：拆機(jī)，根據(jù)經(jīng)驗(yàn)，在路直接檢查VR1可調(diào)(103)，阻值在100K左右不正常，順便查
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通過采樣ADC監(jiān)測(cè)及測(cè)量系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化降低電力線監(jiān)測(cè)系統(tǒng)的成本
引言一個(gè)高級(jí)電力線監(jiān)控系統(tǒng)通常由功率監(jiān)測(cè)、負(fù)載均衡、保護(hù)以及表計(jì)功能組成，這一架構(gòu)能夠使電力得到有效傳輸，用戶充分利用電力資源，保證電網(wǎng)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)。隨著電力的有
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路的行業(yè)趨勢(shì)及提高電機(jī)設(shè)計(jì)能效的解決方案
隨著節(jié)能成為全球范圍關(guān)注的焦點(diǎn)，電機(jī)設(shè)計(jì)的能效也成為一個(gè)引人關(guān)注的問題。由于各國政府相繼出臺(tái)各種法規(guī)來要求提高能效，為了應(yīng)對(duì)能效挑戰(zhàn)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路變得越來越復(fù)雜
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功率MOS剖析(一)
(1)：等效電路 (2)：說明：功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大;它還與門極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳
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在動(dòng)力系統(tǒng)中增加48V直流（DC）總線
目前混動(dòng)汽車(HEV)和純電動(dòng)汽車(EV)的設(shè)計(jì)非常引人注目，但是汽車行業(yè)也有一個(gè)不太明顯但是意義重大的發(fā)展趨勢(shì)：在動(dòng)力系統(tǒng)中增加48V直流(DC)總線。48V不僅適用于混動(dòng)汽車和
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基于XE162FN單片機(jī)的智能機(jī)器人設(shè)計(jì)方案
隨著控制技術(shù)、計(jì)算機(jī)技術(shù)、信息處理技術(shù)和傳感器技術(shù)的發(fā)展，智能機(jī)器人無論是在工業(yè)領(lǐng)域還是消費(fèi)電子領(lǐng)域都已經(jīng)扮演了非常重要的角色，已成為人工智能研究和發(fā)展的熱點(diǎn)之
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基于IR2130驅(qū)動(dòng)模塊的功率MOSFET驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)
功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Power MOSFET)是一種多數(shù)載流子導(dǎo)電的單極型電壓控制器件，具有開關(guān)速度快、高頻性能好、輸入阻抗高、噪聲小、驅(qū)動(dòng)功率小、動(dòng)態(tài)范圍大、無二次擊穿現(xiàn)象和
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如何使用帶有模擬接地層和功率接地層的開關(guān)穩(wěn)壓器？
如何使用帶有模擬接地層(AGND)和功率接地層(PGND)的開關(guān)穩(wěn)壓器?這是許多開發(fā)人員在設(shè)計(jì)開關(guān)電源時(shí)會(huì)問的一個(gè)問題。一些開發(fā)人員已習(xí)慣于處理數(shù)字接地層和模擬接地層;然而，
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IGBT開通過程分析(一)
IGBT作為具有開關(guān)速度快，導(dǎo)通損耗低的電壓控制型開關(guān)器件被廣泛應(yīng)用于高壓大容量變頻器和直流輸電等領(lǐng)域。現(xiàn)在IGBT的使用比較關(guān)注的是較低的導(dǎo)通壓降以及低的開關(guān)損耗。作
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面向SoC的20 V輸入、20 A解決方案
用于工業(yè)和汽車系統(tǒng)的先進(jìn)SoC(片上系統(tǒng))解決方案的功率預(yù)算不斷增加。后續(xù)每一代SoC都會(huì)添加高功率需求器件并提高數(shù)據(jù)處理速度。這些器件需要可靠的功率，包括0.8 V(用于內(nèi)
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模塊化UPS的系統(tǒng)架構(gòu)的兩種旁路方案的介紹
近來跟一些業(yè)內(nèi)客戶交流，某廠家的模塊化UPS有一個(gè)奇妙的功能，就是單個(gè)功率模塊可以單獨(dú)作為完整UPS使用，并列為一大賣點(diǎn)?？磥硎袌?chǎng)營銷也要與時(shí)俱進(jìn)，這不就是以前的&ldq
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芯片晶體管是實(shí)現(xiàn)技術(shù)詳解
1. 當(dāng)前CPU上的晶體管已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是千萬級(jí)別的概念，而是數(shù)個(gè)billion。2. 目前最先進(jìn)的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說是技術(shù)上的一個(gè)飛躍
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新型液晶彩電易損IC：PLC810P技術(shù)介紹
PLC810P是一款集成有半橋驅(qū)動(dòng)器的連續(xù)模式PFC和LLC控制器，具有功率因數(shù)校正(PFC)與開關(guān)電源驅(qū)動(dòng)雙重功能，內(nèi)置振蕩器、相位校正電路、斜坡發(fā)生器、基準(zhǔn)電壓發(fā)生器、過流/過
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基于CP212X的TFT模組電源解決方案
本文介紹了采用低成本、高效率的升壓型電源管理芯片CP212X系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)多路正負(fù)電源輸出，結(jié)合TFT模組供電的需求，給出了基于CP212X實(shí)現(xiàn)的TFT模組供電系統(tǒng)方案，文中詳細(xì)討
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使用高能效的RF功率使用高能效的RF功率放大器能降低高數(shù)據(jù)速率移動(dòng)通信系統(tǒng)的運(yùn)營成本能降低高數(shù)據(jù)速率移動(dòng)通信系統(tǒng)的運(yùn)營成本
高數(shù)據(jù)速率移動(dòng)通信系統(tǒng)需要使用高能效的RF功率放大器(PA)，以便幫助降低網(wǎng)絡(luò)的運(yùn)營成本。然而，由于最新蜂窩標(biāo)準(zhǔn)中所用復(fù)雜調(diào)制方案的峰值平均功率比(PAR)較高，轉(zhuǎn)而要求發(fā)
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基于SystemC的存儲(chǔ)器模型設(shè)計(jì)與性能分析
建立芯片模型是在早期進(jìn)行芯片架構(gòu)決策的有效方法，通過建模不僅可以對(duì)芯片的性能做出分析，還可以在硬件沒有完成之前開發(fā)軟件，不僅提高了產(chǎn)品成功率，而且縮短了研發(fā)周期
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關(guān)于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的IGBT，你想知道的都在這里
摘要 ：工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場(chǎng)趨勢(shì)是對(duì)更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。功率半導(dǎo)體器件制造商不斷在導(dǎo)通損耗和開關(guān)時(shí)間上尋求突破。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體
