摘 要:FC(倒裝片)和WLP(圓片級封裝)均要在圓片上制作各類凸點(diǎn),它們與基板焊接互連后,由于各材料間的熱失配可能造成凸點(diǎn)——基板間互連失效,從而影響了器件的可靠性和使用壽命。解決這一問題的通常做法是對芯片凸
王水弟,蔡堅(jiān),譚智敏,胡濤,郭江華,賈松良(清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,北京 100084)摘要:介紹了電鍍法進(jìn)行圓片級封裝中金凸點(diǎn)制作的工藝流程,并對影響凸點(diǎn)成型的主要工藝因素進(jìn)行了研究。凸點(diǎn)下金屬化層(UBM,und
11 BGA封裝激光重熔釬料凸點(diǎn)制作技術(shù) 11.1 激光重熔釬料合金凸點(diǎn)的特點(diǎn) BGA/CSP封裝,F(xiàn)lip chip封裝時(shí)需要在基板或者芯片上制作釬料合金凸點(diǎn),釬料合金凸點(diǎn)的制作方法有:釬料濺射/蒸鍍-重熔方法、放置釬料球-重熔方