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解決IC制造瓶頸難題 需解決“缺人缺錢缺積累”的困境
作為信息化時(shí)代的核心基石，集成電路的重要性逐漸為人們所認(rèn)知。但是發(fā)展集成電路是一項(xiàng)系統(tǒng)性工程，它涉及設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、材料、設(shè)備等全產(chǎn)業(yè)鏈的整體提升。而光刻機(jī)就是集成電路這個(gè)基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)中最具關(guān)鍵性的基礎(chǔ)裝備之一。要想解決我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“掐脖子”問(wèn)題，推動(dòng)光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化勢(shì)在必行。
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浸沒(méi)式光刻工藝中顯影缺陷模型成功建立
近日，中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司在產(chǎn)學(xué)研合作中取得新進(jìn)展，成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標(biāo)系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過(guò)該模型可有效減小浸沒(méi)式光刻中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發(fā)周期，節(jié)省研發(fā)成本，為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。該成果已在國(guó)際光刻領(lǐng)域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS發(fā)表。
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中科大與中芯國(guó)際在光刻工藝取得重要進(jìn)展
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)與中芯合作，成功在光刻工藝模塊中建立了極坐標(biāo)系下規(guī)避顯影缺陷的物理模型。通過(guò)該模型可有效減小浸沒(méi)式光刻中的顯影缺陷，幫助縮短顯影研發(fā)周期，節(jié)省研發(fā)成本，為確定不同條件下最優(yōu)工藝參數(shù)提供建議。
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美光：內(nèi)存工藝短時(shí)間不需要用EUV光刻工藝
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在參加伯恩斯坦年度戰(zhàn)略決策會(huì)上回答了有關(guān)的工藝問(wèn)題，在EUV光刻工藝上，他認(rèn)為EUV光刻機(jī)在DRAM芯片制造上不是必須的，直到1α及1β工藝上都也不會(huì)用到它。
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