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DDR2/DDR3 設(shè)計(jì)中阻抗控制的必要性
在當(dāng)今高速發(fā)展的電子信息時(shí)代，DDR2 和 DDR3 作為廣泛應(yīng)用的內(nèi)存技術(shù)，其性能優(yōu)劣直接影響著電子設(shè)備的整體表現(xiàn)。而在 DDR2/DDR3 的設(shè)計(jì)過程中，阻抗控制已成為一個(gè)至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，對(duì)整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸能力起著決定性作用。
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未來 6G 技術(shù)的發(fā)展，將會(huì)提供更強(qiáng)的通信網(wǎng)絡(luò)
6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展 [1-2] 。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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