金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
前言 激光位移傳感器能夠利用激光的高方向性、高單色性和高亮度等特點(diǎn)可實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸遠(yuǎn)距離測(cè)量。激光位移傳感器(磁致伸縮位移傳感器)就是利用激光的這些優(yōu)點(diǎn)制成的新型測(cè)量?jī)x表,它的出現(xiàn),使位移測(cè)量的精度、
一、傳輸時(shí)間激光距離傳感器的發(fā)展激光在檢測(cè)領(lǐng)域中的應(yīng)用十分廣泛,技術(shù)含量十分豐富,對(duì)社會(huì)生產(chǎn)和生活的影響也十分明顯。激光測(cè)距是激光最早的應(yīng)用之一。這是由于激光具有方向性強(qiáng)、亮度高、單色性好等許多優(yōu)點(diǎn)。
前言隨著電子技術(shù)的發(fā)展,工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域?qū)ιa(chǎn)過(guò)程中精度控制的要求不斷提高,使得直線位移傳感器(光電式傳感器)得到了快速的發(fā)展。由于直線位移傳感器不僅更易優(yōu)化生產(chǎn)流程,良好地保證生產(chǎn)質(zhì)量,而且降低了生產(chǎn)成
1 引言 圖1給出了典型的雙面接觸式電容壓力傳感器的一般結(jié)構(gòu)及其工作的模擬仿真曲線。從圖1可以看出,雙面接觸式電容壓力傳感器有4個(gè)工作區(qū),第Ⅰ區(qū)是正常區(qū),梁未接觸到襯底上的絕緣層,當(dāng)傳感器工作在這一段時(shí)
WB121高速寬帶跟蹤型電量隔離傳感器原理及其應(yīng)用在各種自動(dòng)檢測(cè)、控制系統(tǒng)中,常常需要對(duì)高速變化的交直流電流、電壓信號(hào)作跟蹤采集,對(duì)比較復(fù)雜的波形作頻譜分析。這類(lèi)信號(hào)可能是高壓、大電流等強(qiáng)電,也可能是負(fù)載能
WB121高速寬帶跟蹤型電量隔離傳感器原理及其應(yīng)用在各種自動(dòng)檢測(cè)、控制系統(tǒng)中,常常需要對(duì)高速變化的交直流電流、電壓信號(hào)作跟蹤采集,對(duì)比較復(fù)雜的波形作頻譜分析。這類(lèi)信號(hào)可能是高壓、大電流等強(qiáng)電,也可能是負(fù)載能
本文主要討論多線結(jié)構(gòu)光傳感器,即光柵式結(jié)構(gòu)光傳感器。 隨著生產(chǎn)自動(dòng)化水平的提高,人們對(duì)生產(chǎn)環(huán)節(jié)的監(jiān)控水平的要求也越來(lái)越高,視覺(jué)檢測(cè)系統(tǒng)能滿(mǎn)足生產(chǎn)線上檢測(cè)的實(shí)時(shí)性要求,并且具有一定的柔性,精度適中,因此得
美國(guó)霍尼威爾(Honeywell)公司先后推出了PPT系列、PPTR系列和PPTE系列可實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)化的智能精密壓力傳感器。這些傳感器將壓敏電阻傳感器、A/D轉(zhuǎn)換器、微處理器、存儲(chǔ)器(RAM、E 2PROM)和接口電路集于一身,不僅達(dá)到了高性能指標(biāo),還極大地方便了用戶(hù)。這些產(chǎn)品可廣泛用于工業(yè)、環(huán)境監(jiān)測(cè)、自動(dòng)控制、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
金屬氧化物半導(dǎo)體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device,CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時(shí)起步的。CCD是應(yīng)用在攝影攝像方面的高端技術(shù)元件,CMOS則應(yīng)
本文介紹了一種力平衡加速度傳感器的原理設(shè)計(jì)方法。