歲月如流,58年大學(xué)畢業(yè)至今,半個(gè)世紀(jì)已逝去,而往事卻歷歷在目,仿佛就發(fā)生在昨天,一幕又一幕…… 1、 走進(jìn)微電子 56年毛主席,周總理為了發(fā)展我國(guó)的科學(xué)事業(yè),采取了四項(xiàng)緊急措施,其中之一就是加速半導(dǎo)體學(xué)科
1、引言 功率是表征微波信號(hào)特征的一項(xiàng)重要參數(shù)。近年來(lái),隨著數(shù)字無(wú)線通信、雷達(dá)、廣播電視等通信技術(shù)的迅速發(fā)展,各種調(diào)制技術(shù)所采用微波信號(hào)的頻率范圍、功率電平、調(diào)制方式和信號(hào)頻譜各不相同,如何根據(jù)具
BL9148是目前市場(chǎng)上頗為流行的紅外線遙控發(fā)射芯片,它具有功能強(qiáng)、電壓低、功耗小等特點(diǎn)。因此在音響、空調(diào)、玩具等領(lǐng)域獲得廣泛的應(yīng)用。本文主要介紹其原理、特點(diǎn)和實(shí)際應(yīng)用電路。
在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng),許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
在日益增長(zhǎng)的變頻器市場(chǎng),許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺(tái)。在62毫米(當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸)模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
分布的影響。通過應(yīng)用統(tǒng)計(jì)方法,可以定義更切合實(shí)際的降額因子。 敘詞:芯片并聯(lián) IGBT模塊 續(xù)流二極管 降額因子 Abstract:The article, after investigation and analysis, introduces the influence of chip paral
分布的影響。通過應(yīng)用統(tǒng)計(jì)方法,可以定義更切合實(shí)際的降額因子。 敘詞:芯片并聯(lián) IGBT模塊 續(xù)流二極管 降額因子 Abstract:The article, after investigation and analysis, introduces the influence of chip paral
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提出了一種基于雙向觸發(fā)二極管和單電容定時(shí)的,用于爆閃式信號(hào)燈的脈沖序列發(fā)生器。這種脈沖序列發(fā)生器使用了雙向觸發(fā)二極管和單電容定時(shí),因此克服了傳統(tǒng)的脈沖序列發(fā)生器,由于使用2個(gè)定時(shí)電容,從而因電容誤差和溫度變化所引起的脈沖個(gè)數(shù)不穩(wěn)定的現(xiàn)象。
太陽(yáng)能充電電路如圖所示。它采用集成電路CD4069(6門反相器,可用74HC04替代)、場(chǎng)效應(yīng)管VT、二極管VD以及電阻電容等元件構(gòu)成。太陽(yáng)能電池接A、B兩端,被充電鎳鎘電池接M、N兩端。
本充電器制作簡(jiǎn)單,工作穩(wěn)定可靠,調(diào)節(jié)范圍寬;不用大功率大電流可控硅,可對(duì)6V:24V任何電瓶充電,R6、C4使負(fù)載近似為阻性。R1:100K、R2:1K、R3:3K、R4:470K(可變)、R5:360歐姆、R6:360歐姆、C1:0.1uf
本充電器制作簡(jiǎn)單,工作穩(wěn)定可靠,調(diào)節(jié)范圍寬;不用大功率大電流可控硅,可對(duì)6V:24V任何電瓶充電,R6、C4使負(fù)載近似為阻性。R1:100K、R2:1K、R3:3K、R4:470K(可變)、R5:360歐姆、R6:360歐姆、C1:0.1uf