IIC 總線串聯(lián)電阻的深度解析

在集成電路的通信領(lǐng)域，IIC(Inter - Integrated Circuit)總線以其簡潔的二線制結(jié)構(gòu)和高效的通信能力，在嵌入式系統(tǒng)、傳感器網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)電子等眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，在 IIC 總線的實(shí)際設(shè)計(jì)與調(diào)試過程中，細(xì)心的工程師會發(fā)現(xiàn)，通常會在 SDA(串行數(shù)據(jù)線)和 SCL(串行時(shí)鐘線)上串聯(lián)一個(gè)電阻。這個(gè)看似簡單的電阻，背后卻蘊(yùn)含著豐富的電路原理和設(shè)計(jì)考量。本文將從 IIC 總線的電氣特性、信號完整性、電路保護(hù)等多個(gè)維度，深入剖析 IIC 總線串聯(lián)電阻的原因。

開關(guān)電源輸入端串聯(lián)電阻的深度分析

在電子設(shè)備的供電系統(tǒng)中，開關(guān)電源因其高效、穩(wěn)定的特點(diǎn)而被廣泛應(yīng)用。而在開關(guān)電源的設(shè)計(jì)中，輸入端串聯(lián)電阻的選取與配置往往是一個(gè)容易被忽視但又極其重要的環(huán)節(jié)。

MOS管GS端與G端串聯(lián)電阻的科技探討

在電子電路設(shè)計(jì)中，MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為一種關(guān)鍵的電壓控制型器件，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。MOS管的性能穩(wěn)定性和可靠性對整體電路的性能有著至關(guān)重要的影響。其中，GS端（柵極-源極）和G端（柵極）串聯(lián)電阻的設(shè)計(jì)，是實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)的重要手段之一。本文將深入探討MOS管GS端與G端串聯(lián)電阻的作用、設(shè)計(jì)原則及其在電路中的具體應(yīng)用。

如何設(shè)計(jì)簡單的電流監(jiān)測電路

使用肖特基整流器、100μA/1.7kΩ 儀表和合適的串聯(lián)電阻， 可以在單個(gè)范圍內(nèi)監(jiān)控 10μA 至超過 100mA 的電流，指示速度僅受儀表彈道學(xué)的限制。

關(guān)于單片機(jī)的8個(gè)電路設(shè)計(jì)

高頻濾波電容一般用104容（0.1uF），目的是短路高頻分量，保護(hù)器件免受高頻干擾。普通的IC（集成）器件的電源與地之間都要加，去除高頻干擾（空氣靜電）。

采用串聯(lián)電阻來限制電流的LED驅(qū)動

繁華的城市離不開LED燈的裝飾，相信大家都見過LED，它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個(gè)地方，也照亮著我們的生活。近年來，LED逐漸成為一種可行的新興光源，它們已經(jīng)不再僅僅用作電子設(shè)備的“狀態(tài)指示燈”。技術(shù)進(jìn)步使得LED的發(fā)光效率通?？蛇_(dá)白熾燈的三倍多，此外，LED還非常耐用，壽命超過上萬小時(shí)。

INA128／129的信號和電源的基本連接電路

如圖所示為1NA128/129的信號和電源的基本連接電路。輸出電壓是以輸出Ref端標(biāo)準(zhǔn)地為基準(zhǔn)的，如有8Ω串聯(lián)電阻，則共模抑制比將下降約80dB(G=1)。增益與RG的選擇見下表。增益G=1 50kΩ/RG(INA128)或=1 49.4k

光耦電路中為何有串聯(lián)與并聯(lián)電阻

光耦在電路中的主要作用是對光電進(jìn)行隔離。因此在一些較為敏感的電路中光耦是非常重要的一種器件。而在光耦電路中，電阻的作用分為串聯(lián)與并聯(lián)。圖1圖1是反激式電源電路圖，

在電樞回路中串聯(lián)電阻器調(diào)速方法

在電樞回路中串聯(lián)電阻器調(diào)速方法

話說電容之七：電容的等效串聯(lián)電阻 ESR

普遍的觀點(diǎn)是：一個(gè)等效串聯(lián)電阻(ESR)很小的相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉(zhuǎn)換時(shí)的峰值(紋波)電流。但是，有時(shí)這樣的選擇容易引起穩(wěn)壓器(特別是線性穩(wěn)壓器 LDO )的不穩(wěn)定，所以必須合理選擇小容量和大容量

帶有輸入串聯(lián)電阻的電流檢測放大器的性能

概述從功能上來說，電流檢測放大器可看成一個(gè)輸入級浮置的儀表/差分放大器。這就是說，即使僅采用VCC = 3.3V或5V單電源供電，器件仍然能夠?qū)材ｋ妷哼h(yuǎn)大于電源電壓的輸入差

有源晶振輸出串聯(lián)電阻的作用講解

一般大公司硬件電路都有最小化設(shè)計(jì)，是長期經(jīng)驗(yàn)總結(jié)出來的，為的是減少重復(fù)性勞動和確保產(chǎn)品質(zhì)量。大家畫圖基本上直接抄模塊電路，審查的人也按照標(biāo)準(zhǔn)電路檢查，這樣就不用每次都考慮如何設(shè)計(jì)。你說的晶振輸出串電阻

無需重新計(jì)就可升級至高速USB手機(jī)的方法

無需重新計(jì)就可升級至高速USB手機(jī)的方法

睡覺晶體介紹及其與DLD的關(guān)系

A.概述 這份應(yīng)用筆記所討論的內(nèi)容適合于通用英晶體諧振器，而文章中的數(shù)字只適用于AT和BT下厚度切變的石英晶體。 陶瓷諧振器也有類似的情況。 B.什么是“睡覺晶體”? 在晶體行業(yè)中，&ldqu

夏普三結(jié)化合物太陽電池單元轉(zhuǎn)換效率達(dá)36.9%

近日，夏普宣布其三結(jié)化合物太陽電池的單元轉(zhuǎn)換效率達(dá)到了36.9%。該數(shù)值比夏普2009年創(chuàng)下的35.8%高出1.1個(gè)百分點(diǎn)，刷新了全球非聚光太陽電池最高紀(jì)錄。轉(zhuǎn)換效率的測量是由日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所實(shí)施的，單元面積

手動串聯(lián)電阻起動控制線路

IGBT的一種驅(qū)動和過流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)

本文主要研究了IGBT的驅(qū)動和短路保護(hù)問題，就其工作原理進(jìn)行分析，設(shè)計(jì)出具有過流保護(hù)功能的驅(qū)動電路，并進(jìn)行了仿真研究。

手動串聯(lián)電阻起動控制

定子繞組串聯(lián)電阻起動控制

睡覺晶體和DLD的關(guān)系

A.概述 這份應(yīng)用筆記所討論的內(nèi)容適合于通用英晶體諧振器，而文章中的數(shù)字只適用于AT和BT下厚度切變的石英晶體。 陶瓷諧振器也有類似的情況。 B.什么是“睡覺晶體”? 在晶體行業(yè)中，&ldqu