在離線原型設(shè)計(jì)中,受控電子驅(qū)動(dòng)器(電機(jī)、轉(zhuǎn)換器和傳感器)的模型被添加到我們的方案中,并在 Simulink 中對(duì)生成的模型進(jìn)行仿真。值得指出的是: 1 st,e-drive 模型被放置在中斷驅(qū)動(dòng)控制 ISR 塊之外,因此它將根據(jù)固定或可變步長求解器的設(shè)置計(jì)算為時(shí)間連續(xù)系統(tǒng)。模型; 第二,為了完全符合控制 ISR 的目標(biāo)微依賴實(shí)現(xiàn),也必須從信號(hào)開始模擬其驅(qū)動(dòng) I/O 信號(hào)的外圍設(shè)備(ADC、QEP、PWM...)的特性屬性。
原型制作步驟在滿足電氣驅(qū)動(dòng)控制中對(duì)性能、安全性和靈活性日益嚴(yán)格的要求方面發(fā)揮了重要作用。特別是,由于許多部門提出的解決方案的創(chuàng)新性和復(fù)雜性不斷增加,因此必須進(jìn)行快速測(cè)試和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,以縮短上市時(shí)間并確保適當(dāng)?shù)男阅芎托?。
許多模擬系統(tǒng)必須以出色的保真度或低失真適應(yīng)非常大范圍的信號(hào)幅度。同時(shí),一些信號(hào)鏈組件被過大的信號(hào)損壞。一個(gè)示例是模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC) 輸入。對(duì)于像ADC16DV160這樣的高性能 ADC ,其中一個(gè) Vin 引腳上的絕對(duì)最大輸入電壓為 2.35-V。
幸運(yùn)的是,現(xiàn)代電子技術(shù)與大量控制理論相結(jié)合,使得控制速度變得相對(duì)容易。與轉(zhuǎn)矩和位置一樣,速度是通常建立的三個(gè)基本電機(jī)參數(shù)控制回路之一。需要精確速度控制的示例電機(jī)應(yīng)用包括冷卻風(fēng)扇、硬盤驅(qū)動(dòng)器、激光打印機(jī)和裝配線傳送帶。在這些類型的應(yīng)用中,在不同負(fù)載下保持恒定速度至關(guān)重要。
人類最原始的沖動(dòng)是前進(jìn),讓事情變得更好、更快、更大。我們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)看到了同樣的人類趨勢(shì),嗯,除了更大,在電子世界中實(shí)際上更小。一旦晶體管被發(fā)明出來,早期的先驅(qū)者就會(huì)問:“我們可以在同一個(gè)芯片上放置多個(gè)晶體管嗎?” 導(dǎo)致杰克·基爾比發(fā)明了集成電路。如今,電源管理單元 (PMU) 將數(shù)量驚人的電路集成到單個(gè) IC 中,更好、更小、更快地實(shí)現(xiàn)了這一目標(biāo)。
最流行的 e-mode HEMT 結(jié)構(gòu)是在柵極上使用 p-GaN 層。實(shí)現(xiàn)的典型 Vt 在 1-2 V 范圍內(nèi)。HEMT 在開關(guān)應(yīng)用中的固有優(yōu)勢(shì)得以保留,并且開關(guān)損耗可以更低。e-mode 器件的主要缺點(diǎn)之一是其低 Vt,這可能導(dǎo)致柵極對(duì)噪聲和 dV/dt 瞬態(tài)的抗擾度較差。出于可靠性原因,最大柵極電壓通常限制為 6-7 V,并且可能需要負(fù)電壓來關(guān)閉器件。
氮化鎵 (GaN) 功率器件在幾個(gè)關(guān)鍵性能指標(biāo)上都優(yōu)于硅 (Si)。具有低本征載流子濃度的寬帶隙允許更高的臨界電場(chǎng),從而允許在更高的擊穿電壓下具有降低的特定導(dǎo)通電阻 (Rds on ) 的更薄的漂移層。導(dǎo)通損耗可以通過較低的 Rdson 降低,而動(dòng)態(tài)損耗可以通過GaN可能的更小的裸片尺寸來降低. 當(dāng)它與鋁基異質(zhì)結(jié)構(gòu)結(jié)合時(shí)形成二維電子氣 (2DEG) 的能力導(dǎo)致了備受青睞的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 功率器件。
從智能設(shè)備充電器等低功率、低成本應(yīng)用一直到高功率汽車應(yīng)用,氮化鎵 FET 正成為許多產(chǎn)品的廣泛首選。大多數(shù)情況下,設(shè)計(jì)人員對(duì) GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻,這導(dǎo)致器件具有比硅同類產(chǎn)品更大的功率能力。然而,高端音頻放大器現(xiàn)在也越來越多地轉(zhuǎn)向 GaN 技術(shù),因?yàn)?GaN FET 的平滑開關(guān)特性導(dǎo)致注入放大器的可聽噪聲更少。
我有一個(gè)朋友喜歡世界各地的最新技術(shù)。帶著對(duì) 3D 打印機(jī)的狂熱,他最近邀請(qǐng)我去他的公寓欣賞他的新杰作,一臺(tái)自制的 3D 打印機(jī)。嗯,他確實(shí)很好地為我打印了一只三條腿半個(gè)頭的小狗,但真正引起我注意的是他的打印機(jī)在制作小狗時(shí)發(fā)出的小聲響。因此,在贊揚(yáng)了他的出色工作之后,我們花了一些時(shí)間討論導(dǎo)致這種噪音的原因。
在大多數(shù)物體將通過互聯(lián)網(wǎng)連接的未來,設(shè)備和傳感器將不得不無線工作且無需電池。這對(duì)于減少能源消耗和環(huán)境污染非常重要。
由 Yusuf Hamied 化學(xué)系的 Jenny Zhang 領(lǐng)導(dǎo)的英國劍橋大學(xué)的一組研究人員成功展示了細(xì)菌和光合作用在太陽能收集中的應(yīng)用。
英飛凌擴(kuò)展印度尼西亞后端站點(diǎn)以滿足汽車 IC 需求 作為其長期投資戰(zhàn)略的一部分,德國芯片制造商英飛凌科技表示,它計(jì)劃擴(kuò)大其在印度尼西亞巴淡島的現(xiàn)有后端業(yè)務(wù)。預(yù)計(jì)將于 2024 年開始生產(chǎn)。
對(duì)更強(qiáng)大和更節(jié)能設(shè)備的空前需求刺激了對(duì)砷化鎵、氮化鎵和碳化硅等化合物半導(dǎo)體的需求。這種材料需要通過外延生長的超純薄膜。盡管分子束外延 (MBE) 是三種外延設(shè)備之一,長期以來一直被認(rèn)為是利基市場(chǎng),但它已準(zhǔn)備好過渡到批量應(yīng)用。
第一個(gè)電池是在 1800 年發(fā)明的。200 多年后,我們?nèi)匀皇褂貌豢沙潆婋姵?,盡管它們對(duì)實(shí)際和環(huán)境有負(fù)面影響。隨著社會(huì)轉(zhuǎn)向更可持續(xù)和更有效的方式為低功率設(shè)備獲取能源,這些缺點(diǎn)可能很快就會(huì)成為過去。這種轉(zhuǎn)變將使我們的生活更輕松,因?yàn)闊o需更換電池。工業(yè)將特別受益,因?yàn)樵诠I(yè)規(guī)模上更換電池的成本可能相當(dāng)高。
愛因斯坦的相對(duì)論描述了引力波的物理性質(zhì)。它們帶來能量,非常低的能量值,不像太陽免費(fèi)發(fā)送給我們的光子(量子),無需任何額外費(fèi)用來為我們的房屋供電。太陽本身代表了最重要的無限來源,它使我們能夠使用免費(fèi)電力或收集太陽能來發(fā)電。新的設(shè)計(jì)和制造方法使現(xiàn)代太陽能電池板更實(shí)惠、更高效。活力收集收集少量的能量,為現(xiàn)在接近物聯(lián)網(wǎng)的各種小型設(shè)備提供動(dòng)力。