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  • 頻率折返的工作方式：固定頻率折返

    輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個開關(guān)周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。

  • GAAFET，是什么技術(shù)？

    美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術(shù)制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管）？

  • GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

    氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，已成為精密電力電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵。它比硅快20×，可以提供高達3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第二部分

    在電機驅(qū)動應(yīng)用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導(dǎo)通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導(dǎo)致災(zāi)難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關(guān)閉器件，之前將 1us 視為正常響應(yīng)時間。幾項關(guān)于 GaN HEMT 的研究報告了更短的 SCWT 時間，這被認(rèn)為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應(yīng)用權(quán)衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機會以及在廣泛的功率轉(zhuǎn)換和功率傳輸應(yīng)用中取代現(xiàn)有的硅基設(shè)計的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關(guān)鍵器件特性，并嘗試強調(diào)每個方面的一些權(quán)衡。

  • EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個問題。一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應(yīng)商輕松獲得可用于在幾乎任何應(yīng)用中有效過濾 EMI 的各種組件。

  • EMI 噪聲，箱級 EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標(biāo)準(zhǔn)所必需的板級 EMI 抑制解決方案。然而，對于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應(yīng)用，它們可能還不夠。此類應(yīng)用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng))需要盒級 EMI 濾波。

  • 不要讓EMI 噪聲成為我們的問題

    電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個問題。這個由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對汽車、醫(yī)療、植入式和空間應(yīng)用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中，我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。

  • EMI 噪聲，惡劣環(huán)境下的 EMI 抑制

    在惡劣環(huán)境應(yīng)用中使用的組件通常會承受過大的機械應(yīng)力、極熱或極冷的溫度、增加的靜電放電潛力和/或高水平的輻射。因此，這些組件采用能夠處理高溫變化的材料制造，并具有機械堅固的結(jié)構(gòu)。例如，陶瓷 NP0/C0G 等電介質(zhì)能夠處理高達 150 o C 的溫度而電容沒有變化，但缺乏制造高電容器件所需的高介電常數(shù)。由于這一限制，已開發(fā)出具有更高常數(shù)的電介質(zhì)，如 X8R，以將典型 X7R 電介質(zhì)的溫度范圍擴展到其通常的溫度范圍之外125 oC 極限。

  • AmberSemi 實現(xiàn)電力的固態(tài)數(shù)字控制

    Amber Solutions 已更名為 Amber Semiconductor (AmberSemi)，立即生效。遷移至 AmberSemi 反映了該公司更清楚地展示其關(guān)鍵技術(shù)功能的意圖，其中包括將其專利的突破性技術(shù)產(chǎn)品化，用于將能量的交流直接數(shù)字控制轉(zhuǎn)化為硅芯片。這一成就為主要的半導(dǎo)體和電氣產(chǎn)品公司 徹底改革全球電網(wǎng)和實現(xiàn)電氣產(chǎn)品現(xiàn)代化鋪平了道路 。

  • 具有自適應(yīng)電源共享功能的降壓轉(zhuǎn)換器 IC

    電源系統(tǒng)設(shè)計包括設(shè)計參數(shù)之間的許多權(quán)衡，例如尺寸、成本、效率和負載瞬態(tài)性能。為了設(shè)計功率級，必須建立各種特性，例如瞬態(tài)容限、紋波電壓和負載特性。系統(tǒng)設(shè)計人員正專注于通過更好地控制電池特性來使用新的電路拓撲來提高電源轉(zhuǎn)換效率，以開發(fā)具有更長運行時間和更小的占位面積的系統(tǒng)。低效率對應(yīng)于增加的功耗，必須充分處理。較低的開關(guān)頻率會降低開關(guān)損耗，但較高的開關(guān)頻率可提供更高的性能和更快的瞬態(tài)響應(yīng)。西蘭娜半導(dǎo)體推出了智能功率共享降壓轉(zhuǎn)換器電源IC。具有集成 USB-PD/FC 端口控制器的新型 SZPL3002A 降壓轉(zhuǎn)換器 IC 可顯著減少執(zhí)行 65-W 快速充電器和具有多達四個端口的適配器應(yīng)用所需的組件數(shù)量。該電源 IC 采用完全集成的 USB-PD 控制器、MCU 和 VCONN 電纜通信協(xié)議，在這款高效 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器中實現(xiàn)智能電源共享。

  • 電力電子課程：第 6 部分 - BJT

    BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術(shù)的進程。晶體管_也可以是一個功率元件，并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號晶體管不同的技術(shù)制造，但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當(dāng)高的基極電流驅(qū)動功率晶體管。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關(guān)時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關(guān)損耗是不可接受的。由于采用了“場效應(yīng)”技術(shù)，使用稱為 Power-mos 或場效應(yīng)功率晶體管的開關(guān)器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

  • 電力電子課程：第 8 部分 - 功率元件碳化硅和GaN

    基于硅 (Si) 的電力電子產(chǎn)品長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)。由于其重要的優(yōu)勢，碳化硅(SiC)近年來在市場上獲得了很大的空間。隨著新材料的應(yīng)用，電子開關(guān)的靜態(tài)和動態(tài)電氣特性得到了顯著改善。

  • 通過并聯(lián) SiC MOSFET 獲得更多功率

    開關(guān)、電阻器和MOSFET的并聯(lián)連接的目的是劃分所涉及的功率并創(chuàng)建可以承受更大功率的設(shè)備。它們可以并聯(lián)以增加輸出電流的容量。因為它們不受熱影響不穩(wěn)定性，并聯(lián)連接通常比其他更過時的組件更簡單，更不重要。碳化硅MOSFET也可以與其他同類器件并聯(lián)使用。多個單元之間的簡單并聯(lián)在正常條件下工作良好，但在與溫度、電流和工作頻率相關(guān)的異常事件中，操作條件可能變得至關(guān)重要。因此，必須采取一定的預(yù)防措施來創(chuàng)建防故障電路，以便它們能夠充分利用功率器件并聯(lián)所提供的優(yōu)勢。

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