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  • 抗輻射功率器件：第 2 部分 WBG 器件和封裝選項

    在關于抗輻射功率器件的第 2 部分中，我們將探討 WBG 半導體在該領域的一些優(yōu)勢，特別是 SiC MOSFET 和 GaN HEMT。還將總結一些包括低成本塑料產(chǎn)品的包裝選擇。

  • 抗輻射分立功率器件：第 1 部分 — Si MOSFET

    用于 5G、物聯(lián)網(wǎng)和其他各種用途的商業(yè)天基通信出現(xiàn)了巨大的增長，Starlink 和 OneWeb 等星座的推出就是明證。這補充了軍事和科學衛(wèi)星的使用，后者也出現(xiàn)了大幅增長。這些應用所需的半導體功率器件，例如衛(wèi)星總線電壓到終端應用的DC/DC 轉換，與地面商業(yè)或汽車對應器件相比，需要滿足某些獨特的可靠性標準，因為它們存在于敵對環(huán)境中。環(huán)境。這既意味著可預測的輻射暴露——例如來自地球周圍的范艾倫帶——也意味著不可預測的事件，例如太陽耀斑。

  • 頻率折返的工作方式：固定頻率折返

    輸出短路后輸出電壓非常低，電感的激磁電流di/dt變得非常大，去磁電流di/dt變得非常小，工作幾個開關周期后電感激磁的起始電流不斷增加，極端情況下電感可能發(fā)生飽和，電感值L降低到非常低的值。

  • GAAFET，是什么技術？

    美國計劃禁止用于Gate-all-around GAA新技術制造芯片所必需的EDA軟件出口到中國大陸，GAA（環(huán)繞柵極）是GAA FET，那么，什么是GAA FET（環(huán)繞柵極場效應晶體管）？

  • GaN半橋電源集成電路最大限度地提高性能，降低成本

    氮化鎵是一種具有較大帶隙的下一代半導體技術，已成為精密電力電子學發(fā)展的關鍵。它比硅快20×，可以提供高達3×的功率或充電，其尺寸和重量是硅器件的一半。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應用權衡，第二部分

    在電機驅(qū)動應用中，功率器件需要承受過載或故障條件，這些條件會造成器件處于高電壓和高電流導通狀態(tài)且器件處于飽和狀態(tài)。高溫會導致災難性的破壞。功率器件及其柵極驅(qū)動器需要協(xié)同工作才能關閉器件，之前將 1us 視為正常響應時間。幾項關于 GaN HEMT 的研究報告了更短的 SCWT 時間，這被認為是來自高電流密度，尤其是在低 Rdson 器件中。隨著 Vds 升高，SCWT 急劇下降，許多研究表明 Vds ≥ 400V 時小于 500ns。

  • GaN HEMT：一些器件特性和應用權衡，第一部分

    GaN HEMT 器件處于創(chuàng)造新機會以及在廣泛的功率轉換和功率傳輸應用中取代現(xiàn)有的硅基設計的最前沿。在本文中，我們將回顧一些更廣泛使用的 HEMT 的一些關鍵器件特性，并嘗試強調(diào)每個方面的一些權衡。

  • EMI 噪聲，用于抑制 EMI 的組件

    電磁干擾 (EMI) - 由源、路徑和受害者組成 - 是電氣和電子系統(tǒng)中的一個問題。一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音，而另一些則容易受到噪音的影響，還有一些系統(tǒng)會發(fā)出噪音并受到噪音的影響。然而，可以通過幾家值得信賴的供應商輕松獲得可用于在幾乎任何應用中有效過濾 EMI 的各種組件。

  • EMI 噪聲，箱級 EMI噪聲抑制

    到目前為止，我們已經(jīng)討論了滿足 EMC 標準所必需的板級 EMI 抑制解決方案。然而，對于封閉系統(tǒng)不能免疫甚至發(fā)射 EMI 的應用，它們可能還不夠。此類應用(包括醫(yī)療、航天、航空航天和其他關鍵任務系統(tǒng))需要盒級 EMI 濾波。

  • 不要讓EMI 噪聲成為我們的問題

    電磁干擾 (EMI) 是所有電氣和電子電路中的一個問題。這個由六部分組成的系列將討論用于減輕 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案;如何使您的電路不易受 EMI 影響;以及針對汽車、醫(yī)療、植入式和空間應用的特定 EMI 考慮因素。在第一篇文章中，我將介紹 EMI 以及用于降低 EMI 噪聲排放的可用組件解決方案。

  • EMI 噪聲，惡劣環(huán)境下的 EMI 抑制

    在惡劣環(huán)境應用中使用的組件通常會承受過大的機械應力、極熱或極冷的溫度、增加的靜電放電潛力和/或高水平的輻射。因此，這些組件采用能夠處理高溫變化的材料制造，并具有機械堅固的結構。例如，陶瓷 NP0/C0G 等電介質(zhì)能夠處理高達 150 o C 的溫度而電容沒有變化，但缺乏制造高電容器件所需的高介電常數(shù)。由于這一限制，已開發(fā)出具有更高常數(shù)的電介質(zhì)，如 X8R，以將典型 X7R 電介質(zhì)的溫度范圍擴展到其通常的溫度范圍之外125 oC 極限。

  • AmberSemi 實現(xiàn)電力的固態(tài)數(shù)字控制

    Amber Solutions 已更名為 Amber Semiconductor (AmberSemi)，立即生效。遷移至 AmberSemi 反映了該公司更清楚地展示其關鍵技術功能的意圖，其中包括將其專利的突破性技術產(chǎn)品化，用于將能量的交流直接數(shù)字控制轉化為硅芯片。這一成就為主要的半導體和電氣產(chǎn)品公司 徹底改革全球電網(wǎng)和實現(xiàn)電氣產(chǎn)品現(xiàn)代化鋪平了道路 。

  • 具有自適應電源共享功能的降壓轉換器 IC

    電源系統(tǒng)設計包括設計參數(shù)之間的許多權衡，例如尺寸、成本、效率和負載瞬態(tài)性能。為了設計功率級，必須建立各種特性，例如瞬態(tài)容限、紋波電壓和負載特性。系統(tǒng)設計人員正專注于通過更好地控制電池特性來使用新的電路拓撲來提高電源轉換效率，以開發(fā)具有更長運行時間和更小的占位面積的系統(tǒng)。低效率對應于增加的功耗，必須充分處理。較低的開關頻率會降低開關損耗，但較高的開關頻率可提供更高的性能和更快的瞬態(tài)響應。西蘭娜半導體推出了智能功率共享降壓轉換器電源IC。具有集成 USB-PD/FC 端口控制器的新型 SZPL3002A 降壓轉換器 IC 可顯著減少執(zhí)行 65-W 快速充電器和具有多達四個端口的適配器應用所需的組件數(shù)量。該電源 IC 采用完全集成的 USB-PD 控制器、MCU 和 VCONN 電纜通信協(xié)議，在這款高效 DC/DC 降壓轉換器中實現(xiàn)智能電源共享。

  • 電力電子課程：第 6 部分 - BJT

    BJT是所有電子元件之王，它改變了電子技術的進程。晶體管_也可以是一個功率元件，并允許重要的電流值通過。功率 BJT 雖然采用與信號晶體管不同的技術制造，但具有非常相似的工作特性。主要區(qū)別在于較高的耐受電壓和電流值以及較低的電流增益。為此，需要以相當高的基極電流驅(qū)動功率晶體管。

  • 電力電子課程：第 7 部分 - 功率元件MOSFET和IGBT

    在上一集中觀察到的雙極晶體管的缺點是開關時間太長，尤其是在高功率時。這樣，它們不能保證良好的飽和度，因此開關損耗是不可接受的。由于采用了“場效應”技術，使用稱為 Power-mos 或場效應功率晶體管的開關器件，這個問題已大大減少。在任何情況下，表示此類組件的最常用名稱是 MOSFET。

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