當今電子設計中最關鍵的挑戰(zhàn)之一是降低能耗。電源管理是許多設備的重要設計考慮因素,尤其是那些依賴電池運行的設備。因此,大多數(shù)系統(tǒng)使用各種電源管理操作模式。
眾所周知,當 V GS 在增強模式下為正時,N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時的漏電流 I DSS量。增強型 MOSFET 在柵極未通電時不應泄漏任何電流,因此當 V GS = 0V 時 I DSS必須 為 0,但當 V GS = 0V 時允許 I DSS電流流過耗盡型 MOSFET 的傳導通道 。
傳統(tǒng)上,耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件,因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷,因此不適合數(shù)字開關。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只有三個端子當柵極控制電壓在電源和地之間變化時,柵極的三端耗盡型 MOSFET 的溝道。Dr. Kahng 的耗盡型 MOSFET 只能用作可變電阻或同相線性緩沖器。從那時起,耗盡型 MOSFET 一直被用作三端線性器件。
目前有幾個 GaN 器件概念。那么你能告訴我哪些是主要的,從設計的角度來看你的發(fā)展方向是什么? 所以我想說有很多概念,遠不止兩個,但不知何故,我們可以談論極端:所謂的Cascode GaN和所謂的增強模式GaN。由于我的第一家公司,級聯(lián) GaN 實際上是第一個誕生的。當功率 GaN 研究的先驅 International Rectifier 首次開始開發(fā)基于級聯(lián)的 GaN 解決方案時,我就在那里。
氮化鎵提高了功率轉換級的效率。GaN 很有吸引力,因為它比硅具有更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便宜的總成本。在劍橋 GaN 器件業(yè)務開發(fā)副總裁 Andrea Bricconi 的討論中,我們將分析這個寬帶隙生態(tài)系統(tǒng)的最新技術,這些技術將推動下一步的改進。
目前SiC在成本方面,以及 150 毫米直徑的基板或 200 毫米。因此,展望未來,重點將放在開發(fā)用于擴大碳化硅器件應用的技術上。有分析認為,未來未來,碳化硅解決方案將占據(jù)電力電子市場的很大一部分,很大一部分,可以說是電動汽車。那么,我們如何看待它和降低成本的技術對于實現(xiàn)這些市場滲透尤為重要。那么,高價格背后的原因是什么,以及可以采取哪些措施來為下一個市場未來降低價格?
如我們所知,目前增長最快的碳化硅產品是二極管和 MOSFET。主要碳化硅生產商最近發(fā)布的新聞稿強調了一些為電動汽車提供模塊的長期合同。
在多個能源行業(yè)中,碳化硅 (SiC) 行業(yè)正在擴展以提供高效,而碳化硅 (SiC) 正在多個能源行業(yè)擴展以提供極其高效和緊湊的解決方案。由于碳化硅在電動汽車和新能源等領域的重要性,許多公司正在評估和投資晶圓技術。在華威大學 SiC 功率器件教授兼 PGC 咨詢公司創(chuàng)始人 Peter Gammon 的訪談中,我們將探討 SiC 的成本和技術。
電磁干擾是我們生活的一部分。許多人認為電子產品的普及是一件好事,因為它們提高了我們的舒適度、安全性和健康度。這些產品還帶來了潛在的電子有害 EMI 信號。EMI 信號可以來自各種來源,包括我們周圍常見的電子設備,以及車輛和重型設備。在汽車設計中,其中一些 EMI 發(fā)生器與車輛的敏感電子電路位于同一個機柜中。這種接近會影響音響設備、自動門控制和其他設備。
在過去的幾年里,我們道路上的電動汽車 (EV) 的數(shù)量顯著增加,給設計人員帶來了嚴峻的挑戰(zhàn),例如最大限度地提高 EV 效率、優(yōu)化充電基礎設施和縮短充電時間。
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今天,由于該領域眾多公司的研究,功率器件已達到極高的效率水平。優(yōu)異的成績是由于不同電子和物理部門的協(xié)同作用,它們結合在一起,可以達到最高水平。讓我們看看功率器件的封裝和集成如何實現(xiàn)非常高的效率,尤其是在高開關速度下,從而積極利用所有可用功率。
盡管現(xiàn)在的太陽能產業(yè)增長了很多,但要實現(xiàn)將太陽能發(fā)電成本降低,仍然需要進行根本性的技術突破。萊斯大學的研究人員聲稱已經找到了一種降低光伏太陽能電池成本的方法。
老化的電網在全球面臨著前所未有的需求,而且這種壓力可能只會隨著汽車電氣化而加劇。但是,如果電動汽車(EV)可以通過將電力返回電網來減輕負擔呢?
核聚變有時被稱為清潔能源的圣杯,因為它有潛力提供幾乎無限的無排放能源,而不會產生由核裂變產生的破壞性、持久的放射性廢物。