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  • 碳化硅技術(shù)推動向全電動未來的轉(zhuǎn)變

    Wolfspeed，前身為 Cree，以一項重大的設(shè)計勝利開始了其品牌重塑：與通用汽車達成供應(yīng)鏈協(xié)議，為汽車制造商的電動汽車開發(fā)和生產(chǎn)碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體。8 月，Wolfspeed 以 8 億美元的價格擴大了與 STMicroelectronics 的多年協(xié)議，以供應(yīng) 150 毫米裸片和外延 SiC 晶圓。

  • 通用充電器連接器：好主意？

    我懷疑你們中的許多人都有一個抽屜或盒子，里面裝滿了您不再使用或已死的設(shè)備的 AC/DC 充電器；我當(dāng)然愿意。大多數(shù)人將這些不再需要的充電器雜亂無章（圖 1 ），而其他人則更有條理。

  • Eggtronic 為電動汽車實現(xiàn)基于 GaN 的無線充電

    Eggtronic 獲得專利的交流無線電源混合技術(shù)旨在提高家用和汽車 應(yīng)用無線充電應(yīng)用的功率和效率。 Eggtronic 的首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Igor Spinella 表示，被稱為 E 2 WATT 的專有技術(shù)由 GaN 半橋和 dsPIC33 微控制器支持。這種安排融合了傳統(tǒng)的電源適配器和 Qi 無線發(fā)射器，提高了效率以克服 Qi 無線功率傳輸標準帶來的挑戰(zhàn)。

  • 碳化硅的成本和EV 應(yīng)用的性能提升之間的衡量，成本問題可能影響碳化硅使用

    電力電子仍然主要基于標準硅器件。雖然三電平和其他硅電路拓撲正在出現(xiàn)以提高效率，但新的碳化硅 (SiC) 設(shè)計正在出現(xiàn)，以滿足電動汽車不斷增長的高功率要求。 三菱電機美國公司的功率器件經(jīng)理強調(diào)了碳化硅與標準硅實現(xiàn)相比的前景。他們表示，可以通過將硅與碳化硅相結(jié)合的混合技術(shù)來提高效率。例如，具有碳化硅肖特基勢壘二極管的硅基絕緣柵雙極晶體管 (IBGT) 以相對較小的成本增加實現(xiàn)了效率提高。對于許多應(yīng)用來說，這代表了成本和性能之間的折衷。

  • SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的故事

    在過去的幾十年中，碳化硅和氮化鎵技術(shù)的進步一直以發(fā)展、行業(yè)接受度不斷提高和有望實現(xiàn)數(shù)十億美元收入為特征。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國英飛凌的肖特基二極管的形式問世。隨之而來的是快速發(fā)展，到 2026 年，工業(yè)部門現(xiàn)在有望超過 40 億美元。 2010 年，當(dāng)總部位于美國的 EPC 交付其超快速開關(guān)晶體管時，GaN 首次驚艷了整個行業(yè)。市場采用率尚未與 SiC 相匹配，但到 2026 年，功率 GaN 收入可能達到 10 億美元。

    功率器件
    2022-04-15
    SiC GaN

  • S-MOS 單元技術(shù)提高了 SiC MOSFET 的效率

    初創(chuàng)公司mqSemi提出了一種適用于基于功率 MOS 的器件的單點源 MOS (S-MOS) 單元概念。S-MOS 概念已通過使用 Silvaco Victory 工藝和設(shè)備軟件的 3D-TCAD 模擬在 1200V SiC MOSFET 結(jié)構(gòu)上進行了調(diào)整和實施。提供了全套靜態(tài)和動態(tài)結(jié)果，用于比較 S-MOS 與采用平面和溝槽 MOS 單元設(shè)計的參考 SiC MOSFET 2D 結(jié)構(gòu)。

  • 超級電容器讓電池市場受到?jīng)_擊

    超級電容器正在超越電池，提供安全性、更快的充電和尺寸優(yōu)勢，同時有助于消除一系列汽車、電網(wǎng)和 IT 應(yīng)用中的復(fù)雜電池管理系統(tǒng)。 超級電容器在當(dāng)今的電子設(shè)備和能源系統(tǒng)中變得越來越重要。據(jù)估計，到2025年，超級電容器市場預(yù)計將達到35億美元，到2020年至2025年之間的復(fù)合年均增長率預(yù)計為20％。

  • 當(dāng)接地不良導(dǎo)致更多接地

    每個處理電路和系統(tǒng)的工程師很快就會了解“地”的重要性，這是一個神秘的、半神秘的地方，具有無限的吸收或獲取電子的能力。視情況而定，此地可能是低電平電壓和電流共用的信號，也可能是用于安全的電源地。

  • 固態(tài)電池競相取代電動汽車中的鋰離子電池

    固態(tài)電池技術(shù)正在成為目前為電動汽車供電的鋰離子電池的一種更輕、可能更安全的替代品。雖然鋰離子電源在成本、功率密度和續(xù)航里程方面取得了長足進步，但在本周的網(wǎng)絡(luò)峰會上推廣的固態(tài)替代品有望提供更好的性能和更高的安全性。 固態(tài)電池是一種電池科技。與現(xiàn)今普遍使用的鋰離子電池和鋰離子聚合物電池不同的是，固態(tài)電池是一種使用固體電極和固體電解質(zhì)的電池。

  • 通過模擬和 PWM 調(diào)光驅(qū)動 LED

    最近，我拜訪了一位正在為水族箱制作 LED 燈的客戶。對我來說，最有趣的部分是當(dāng)我們討論他想要的 LED 驅(qū)動器類型時。對于水族館照明，亮度調(diào)光功能將模擬自然界中的不同亮度設(shè)置，例如日落和日出。脈寬調(diào)制 (PWM) 調(diào)光通常用于改變 LED 亮度，但我的客戶根本不關(guān)心 PWM 調(diào)光功能。他告訴我，人眼是一個非常好的低通濾波器，因為高于 30Hz 的一切基本上是無法觀察到的；然而，這不適用于海洋生物。海洋生物對高于 30Hz 的頻率很敏感，對 PWM 調(diào)光感到不舒服。他寧愿尋找模擬電流可調(diào)（即模擬調(diào)光）LED 驅(qū)動器。

  • 通過提高電源的穩(wěn)定性，來進一步提高汽車應(yīng)用中的 DDR 內(nèi)存性能

    雙倍數(shù)據(jù)速率 (DDR) 存儲器可在許多電子系統(tǒng)中實現(xiàn)高速和高性能，因為它能夠在時鐘的上升沿和下降沿進行讀寫。 在時鐘的兩個邊沿讀取和寫入數(shù)據(jù)的能力本質(zhì)上是在不增加時鐘頻率的情況下提供兩倍的速度，并使系統(tǒng)中的吞吐量更快，因為中央處理單元 (CPU) 可以更快地寫入和接收來自 DDR 的數(shù)據(jù).

  • 提高 DCDC 轉(zhuǎn)換器效率：了解工作模式和功率損耗

    但是效率低且組件溫升過高的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可能是一個令人頭疼的問題——如果我們必須重新設(shè)計電路或修改電路板布局，則更是如此。 為避免此類問題，深入了解轉(zhuǎn)換器的工作模式和功率損耗似乎是明智之舉。盡管易于使用的轉(zhuǎn)換器設(shè)計和仿真工具提供了一種快速選擇組件、繪制效率曲線和估計轉(zhuǎn)換器內(nèi)功率損耗的方法，但特定功率級的細微差別及其各種工作模式往往仍被誤解。識別轉(zhuǎn)換器的模式并剖析預(yù)測功率損耗所需的表達式可以讓我們?nèi)媪私?DC/DC 轉(zhuǎn)換器的電氣和熱行為。

    電源
    2022-04-12
    電源效率 DCDC

  • 使用高 CMTI 的隔離器可以做什么？

    在討論了使用隔離器來防止高壓。在這篇文章中，我將討論隔離器的一個關(guān)鍵性能參數(shù)：共模瞬態(tài)抗擾度或 CMTI。 CMTI 描述了隔離器能夠容忍其兩個接地之間的高轉(zhuǎn)換率電壓瞬變，而不會破壞通過它的信號。一般來說，較高的 CMTI 表示對噪聲的魯棒性，并且在任何隔離應(yīng)用中都是一個優(yōu)勢。但是，在某些特殊應(yīng)用中，高 CMTI 隔離器可以使最終產(chǎn)品實現(xiàn)顯著差異化。

  • 使用單個 PWM 信號控制 GaN 半橋功率級

    分立氮化鎵 (GaN) FET 的興起增加了對更用戶友好界面的需求，同時也提高了效率。半橋 GaN 功率級（例如LMG5200）具有用于高低 GaN FET 的單獨驅(qū)動輸入。兩個輸入（圖 1 中的引腳 4 和 5）使我們能夠優(yōu)化效率，因為我們可以調(diào)整每個 FET 開啟和關(guān)閉的確切點。

  • 如何在無線傳感器節(jié)點中使用升壓轉(zhuǎn)換器

    我之前討論了無線傳感器節(jié)點中長電池壽命的重要性以及特定的占空比實現(xiàn)。在這篇文章中，我將詳細介紹這些無線傳感器節(jié)點的一些電源拓撲注意事項。 在某些無線傳感器節(jié)點中，我們必須為各種集成電路提供良好調(diào)節(jié)的工作電壓。也許高精度模擬傳感組件需要不漂移的電壓，或者傳感器節(jié)點中的組件需要比電池所能提供的電壓更高的電壓。此外，隨著電池壽命接近尾聲時電壓下降，該電池的可用范圍會縮短。添加一個設(shè)計良好的升壓轉(zhuǎn)換器可以為實現(xiàn)無線傳感器節(jié)點的長電池壽命提供缺失的環(huán)節(jié)。

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