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EEPROM的幾種保護方法
串行EEPROM 應該是一種很可靠的設備，但在我的使用中，經(jīng)常會出現(xiàn)數(shù)據(jù)出錯的情況，毛主席老人家說：知己知比，方能百戰(zhàn)不敗!是什么原因呢?其實這種情況多發(fā)生在插拔電的情況下。讓我們來瞧瞧：1. EEPROM 讀寫的時序可
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主流手機處理器格局淺析
無論桌面還是移動，處理器無疑是驅(qū)動所有結(jié)構(gòu)工作的核心動力;在移動領(lǐng)域除了ARM這個家長在為需要高性能低功耗的嵌入式領(lǐng)域設計規(guī)范之外，高通、NV、三星以及新晉Intel都積極的在此規(guī)范之上、依靠自己在計算、通信、圖
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東芝將推出矢量控制引擎嵌入式微控制器
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布其ARM Cortex™-M3(注1)內(nèi)核TX03系列產(chǎn)品中將再添一款矢量控制引擎嵌入式微控制器。該產(chǎn)品具有低引腳數(shù)量和寬引腳間距等特性，使降低貼裝成本成為可能。新產(chǎn)品&l
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關(guān)于AVR的BOD
作為一個正式的系統(tǒng)或產(chǎn)品，當系統(tǒng)基本功能調(diào)試完成后，一旦進行現(xiàn)場測試階段，請注意馬上改寫熔絲位的配置，啟用AVR的電源檢測(BOD)功能。對于5V系統(tǒng)，設置BOD電平為4.0V;對于3V系統(tǒng)，設置BOD電平為2.7V。然后允許B
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AVR的IO用法筆記
AVR的IO有三個寄存器，DDRX，PORTX，PINX。DDRX 方向，DDRX=1，輸出;DDRX=0，輸入。例如設置PA0口為輸入，即可寫成DDRA&=~(1<PORTX 分兩種情況如果DDR=1，即在輸出狀態(tài)的話，那么通過設置PORTX的值改變IO端口的電平如
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AVR單片機硬件電路設計
復位線路的設計 Mega16已經(jīng)內(nèi)置了上電復位設計。并且在熔絲位里，可以控制復位時的額外時間，故AVR外部的復位線路在上電時，可以設計得很簡單：直接拉一只10K的電阻到VCC即可(R0)。為了可靠，再加上一只0.1uF的電容
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編寫PIC單片機源程序應注意的問題
編寫PIC單片機的源程序，除了源程序的開始處要求嚴格的列表指令外，還需注意源程序中字母符號大小寫的有關(guān)規(guī)則，否則在PC機上匯編源程序時不會成功。筆者用下列的PIC16F84單片機對B口送數(shù)的源程序(源程序各自定義)為
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PIC與EMC指令對照表【圖】
擴展閱讀：
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PIC單片機編程漫談（一）
PIC的編程是比較簡單的，但是對于初學者來說還是有些概念不太容易理解，從而影響編程。例如，PIC單片機初學者在編寫程序時就比較容易在BANK設置和PC操作上出錯。1、 BANK設置錯誤：先來看一段程序：includePORTDB EQ
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MCS-51單片機定時器/計數(shù)器基礎(chǔ)詳述
MCS-51子系列單片機有2個定時器/計數(shù)器，即定時器/計數(shù)器0和1，52子系列單片機(8032/8052)除了有上述2個定時器/計數(shù)器外，還有一個定時器/計數(shù)器2，后者的功能比前兩者強。1 定時器/計數(shù)器0和1在專用寄存器TMOD(定時
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MCS-51單片機的內(nèi)部結(jié)構(gòu)
1、8051單片機片內(nèi)并行接口2、MCS-51的內(nèi)部資源3、 MCS-51的芯片引腳 圖1-8 MCS-51引腳圖4、單片機的工作方式單片機的工作方式包括：復位方式、程序執(zhí)行方式、單步執(zhí)行方式、低功耗操作方式以及EPROM編程和校驗方式
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MCS-51單片機存貯器組織結(jié)構(gòu)
計算機的存貯器的管理模式，大致可分為兩類。第一類是將程序存貯器和數(shù)據(jù)存貯器分開，并有各自的尋址機構(gòu)和尋址方式，這種結(jié)構(gòu)形式稱為哈佛型結(jié)構(gòu)。另一類是存貯器邏輯空間統(tǒng)一管理，可隨意安排ROM或RAM，訪問時用同
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英飛凌安全凌捷掩膜控制器被Visa選中用于拉美及加勒比地區(qū) 全新GlobalPlatform支付卡
21ic訊 英飛凌科技股份公司今天宣布，Visa選中該公司作為拉丁美洲和加勒比海地區(qū) (LAC)新發(fā)行的GlobalPlatform支付卡安全控制器的首選供應商。英飛凌將為接觸式和雙界面借記卡和信用卡提供安全凌捷掩膜控制器，包括
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加速摩爾定律 臺積電計劃2015年完成10nm制成技術(shù)
不久前ARM才宣布與臺積電完成首款以16nmFinFET制程技術(shù)優(yōu)化64位元ARMv8處理器系列產(chǎn)品的消息，并且最快在今年內(nèi)就成正式量產(chǎn)，目前臺積電方面也透露將在2015年左右完成以EUV(波長較短的紫外線)為基礎(chǔ)原理的10nm制成技
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GigaDevice發(fā)布基于ARM CortexTM-M3內(nèi)核32位通用MCU
GigaDevice (兆易創(chuàng)新)日前在中國發(fā)布14款基于ARM® CortexTM-M3內(nèi)核的GD32F103系列32位通用MCU產(chǎn)品。目前，該系列產(chǎn)品已經(jīng)開始提供樣片。GD32系列MCU力爭為用戶帶來優(yōu)異的系統(tǒng)性能與靈活的應用體驗，并在性價比上
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