延時(shí)開(kāi)關(guān)電路圖及詳細(xì)分析圖1: 相信大家也看明白上圖...因?yàn)閳D上都有標(biāo)明...HE HE...最左邊的是RC延時(shí)及放電二極管...中間的是為關(guān)機(jī)而設(shè)置的電路,在此大家可以把它看成一個(gè)電源...最右邊的是模擬音頻信號(hào)...再發(fā)一
1:直流等效電路分析法在分析電路原理時(shí),要搞清楚電路中的直流通路和交流通路。直流通路是指在沒(méi)有輸入信號(hào)時(shí),各半導(dǎo)體三極管、集成電路的靜態(tài)偏置,也就是它們的靜態(tài)工作點(diǎn)。交流電路是指交流信號(hào)傳送的途徑,即交
本文以TLV3501滯回比較器電路設(shè)計(jì)為示例,簡(jiǎn)單為您講解滯回比較器電路設(shè)計(jì)的方法與思路,希望對(duì)您設(shè)計(jì)比較器電路有所幫助。什么是滯回比較器?滯回比較器:又稱(chēng)施密特觸發(fā)器,其抗干擾能力強(qiáng),如果輸入電壓受到 干擾或
AN7177功放電路圖
1、二極管的單向?qū)щ娦裕悍蔡匦郧€理想開(kāi)關(guān)模型和恒壓降模型2、橋式整流電流流向過(guò)程輸入輸出波形3、計(jì)算:Vo, Io,二極管反向電壓。二、 電源濾波器 1、電源濾波的過(guò)程分析:波形形成過(guò)程:2、計(jì)算:濾波電容的
555水位控制電路圖
前級(jí)10倍放大電路(NE5532)
太陽(yáng)能光伏發(fā)電的實(shí)質(zhì)就是在太陽(yáng)光的照射下,太陽(yáng)能電池陣列(即PV組件方陣)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能,輸出的直流電經(jīng)由逆變器后轉(zhuǎn)變成用戶(hù)可以使用的交流電。以往的光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。
IGBT屬于場(chǎng)控功率管,具有開(kāi)關(guān)速度快、管壓降小等特點(diǎn),在各領(lǐng)域的電子電器中得到越來(lái)越廣泛的應(yīng)用,在運(yùn)用中,針對(duì)IGBT單管耐壓值不高的情況,技術(shù)人員常常需要將多只IGBT管串聯(lián)以增加IGBT管的耐壓值,拓展其運(yùn)用范圍。
IGBT模塊選型時(shí)比較關(guān)鍵的特性有柵極-發(fā)射級(jí)門(mén)檻電壓Vce(th)、柵極-發(fā)射極漏電流Ices、開(kāi)通時(shí)間ton、開(kāi)通延遲時(shí)間td(on)、上升時(shí)間tr、關(guān)斷耗散功率Poff、關(guān)斷耗散能量Eoff、關(guān)斷時(shí)間toff、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)、下降
IGBT單管工作原理IGBT管是一個(gè)非通即斷的開(kāi)關(guān),由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有 MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。IGBT管是靠的是它的
IGBT模塊封裝是將多個(gè)IGBT集成封裝在一起,以提高IGBT模塊的使用壽命和可靠性,體積更小、效率更高、可靠性更高是市場(chǎng)對(duì)IGBT模塊的需求趨勢(shì),這就有待于IGBT模塊封裝技術(shù)的開(kāi)發(fā)和運(yùn)用。目前流行的IGBT模塊封裝形式有
IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用是驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作,同時(shí)對(duì)IGBT模塊進(jìn)行保護(hù)。IGBT 驅(qū)動(dòng)電路的作用對(duì)整個(gè)IGBT構(gòu)成的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)至關(guān)重要。IGBT是電路的核心器件,它可在高壓下導(dǎo)通,并在大電流下關(guān)