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基礎知識科普站

所屬頻道 技術學院

  • 雙口網絡概述與分析

    雙口網絡(two-port network) 只具有兩個外接端口的電路，又稱二端口網絡。

  • 模擬信號數(shù)字化及優(yōu)缺點

    模擬信號轉換為數(shù)字信號需要經過信號的采樣、信號的保持、信號的量化與信號的編碼四個基本步驟。

  • 模擬信號的簡介

    模擬信號是指用連續(xù)變化的物理量所表達的信息，如溫度、濕度、壓力、長度、電流、電壓等等，我們通常又把模擬信號稱為連續(xù)信號，它在一定的時間范圍內可以有無限多個不同的取值。

  • 西門子法的工藝流程

    改良西門子法生產多晶硅工藝設計中大致細分為以下幾個工序：H2制備與凈化、HCl合成、SiHCl3合成、合成氣干法分離、氯硅烷分離提純、SiHCl3氫還原、還原尾氣干法分離、SiCl4氫化、氫化氣干法分離、硅芯制備及產品整理、廢氣及殘液處理等。

  • 改良西門子法概述和優(yōu)點

    改良西門子法多晶硅生產的西門子工藝，其原理就是在1100℃左右的高純硅芯上用高純氫還原高純三氯氫硅，生成多晶硅沉積在硅芯上。改良西門子工藝是在傳統(tǒng)的西門子工藝的基礎上，同時具備節(jié)能、降耗、回收利用生產過程中伴隨產生的大量H2、HCI、SiCI4等副產物以及大量副產熱能的配套工藝。世界上絕大部分廠家均采用改良西門子法生產多晶硅。

  • 多晶硅的應用價值及生產問題

    多晶硅，是單質硅的一種形態(tài)。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

  • 多晶硅的行業(yè)發(fā)展

    當前光伏正面臨著兩大歷史性的拐點：第一是從歐洲市場轉向中美日市場;第二是從政府補貼逐漸轉向平價上網。

  • 多晶硅的生產技術

    多晶硅，是單質硅的一種形態(tài)。熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，就結晶成多晶硅。

  • 光學鍍膜的原理及工藝

    光的干涉在薄膜光學中廣泛應用。光學薄膜技術的普遍方法是借助真空濺射的方式在玻璃基板上涂鍍薄膜，一般用來控制基板對入射光束的反射率和透過率，以滿足不同的需要。

  • 塑料薄膜材料分類

    塑料包裝及塑料包裝產品在市場上所占的份額越來越大，特別是復合塑料軟包裝，已經廣泛地應用于食品、醫(yī)藥、化工等領域，其中又以食品包裝所占比例最大，比如飲料包裝、速凍食品包裝、蒸煮食品包裝、快餐食品包裝等，這些產品都給人們生活帶來了極大的便利。

  • 化學氣相沉積的使用

    化學氣相沉積裝置最主要的元件就是反應器。

  • 化學氣相沉積的原理及特點

    化學氣相沉積是一種化工技術，該技術主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質、在襯底表面上進行化學反應生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術。

  • 晶圓的檢測方法及缺陷

    半導體工業(yè)對于晶圓表面缺陷檢測的要求，一般是要求高效準確，能夠捕捉有效缺陷，實現(xiàn)實時檢測。較為普遍的表面檢測技術主要可以分為兩大類：針接觸法和非接觸法，接觸法以針觸法為代表;非接觸法又可以分為原子力法和光學法。

  • 晶圓的制作流程及劃片分層過程

    分層劃片工藝，根據(jù)劃片材料的厚度，在劃片深度方向采用分層進給的方式進行劃片。首先進行開槽劃片，采用比較小的進給深度，以保證刀具受力小，降低刀具磨損，減小劃片刀崩邊，然后再劃片到 UV 膜厚度 1/2 的位置。

  • 晶圓拋光過程

    拋光過程隨著集成電路(Integrated circuit,IC)制造技術的不斷發(fā)展，芯片特征尺寸越來越小，互連層數(shù)越來越多，晶圓直徑也不斷增大。要實現(xiàn)多層布線，晶圓表面必須具有極高的平整度、光滑度和潔凈度，而化學機械拋光(Chemical mechanical polishing, CMP)是目前最有效的晶圓平坦化技術，它與光刻、刻蝕、離子注入、PVD / CVD 一起被稱為 IC 制造最核心的五大關鍵技術。