超級電容技術(shù)分析及應(yīng)用

　無論如何稱呼，超電容(ultracapacitor)或者超級電容(supercapacitor)這類新型電容都比傳統(tǒng)的電容器的電容大得多。直接地說，您現(xiàn)在可以購買到額定值為5～10F/2.5V的徑向引線式板載電容、額定值為120～150F/5V的閃光

適用于汽車?yán)淦饎討?yīng)用的雙開關(guān)降壓/升壓技術(shù)

一般來說，我們采用降壓升壓拓?fù)湫屯負(fù)鋪斫鉀Q汽車應(yīng)用中的寬闊輸入電壓范圍及冷起動需求。本文將詳細(xì)解釋冷起動的要求，并介紹兩種不同的解決方案。其中一種是傳統(tǒng)的SPEIC拓?fù)洌硪环N是較新的多開關(guān)降壓/升壓拓?fù)?/p>

基于DSP的SPWM變頻電源數(shù)字控制

介紹了基于DSP的變頻電源數(shù)字控制系統(tǒng)，詳細(xì)討論了利用DSP TMS320LF2407產(chǎn)生頻率幅值可按需要改變的SPWM波的程序設(shè)計(jì)策略和算法。實(shí)驗(yàn)效果很好，滿足了變頻器在線調(diào)試的要求。

基于軟開關(guān)技術(shù)的DC/DC功率變換器的設(shè)計(jì)

介紹了DC／DC變換器電路的基本工作原理。采用移相控制器UC3879為控制核心、設(shè)計(jì)出了對DC／DC功率變換器實(shí)現(xiàn)恒流輸入控制的實(shí)用電路。試驗(yàn)結(jié)果證明系統(tǒng)性能優(yōu)良。最后給出了在軟開關(guān)條件下的實(shí)驗(yàn)波形。

新型IGBT/MOSFET驅(qū)動模塊SKHI22A/B

SKHI22A/B是德國西門康（SEMIKRON）公司推出的一種新型的IGBT/MOSFET的驅(qū)動模塊。

工程師總結(jié)的單片機(jī)學(xué)習(xí)經(jīng)驗(yàn)，值得收藏

你知道怎么學(xué)習(xí)單片機(jī)嗎?有哪些注意事項(xiàng)?學(xué)習(xí)使用單片機(jī)就是理解單片機(jī)硬件結(jié)構(gòu)，以及內(nèi)部資源的應(yīng)用,在匯編或C語言中學(xué)會各種功能的初始化設(shè)置，以及實(shí)現(xiàn)各種功能的程序編制。

晶振與晶體的參數(shù)詳解

1. 晶振與晶體的區(qū)別1) 晶振是有源晶振的簡稱，又叫振蕩器。英文名稱是oscillator。晶體則是無源晶振的簡稱，也叫諧振器。英文名稱是crystal.2) 無源晶振(晶體)一般是直插兩

基于單片機(jī)與CPLD的步進(jìn)電機(jī)PWM驅(qū)動技術(shù)

步進(jìn)電動機(jī)是一種將數(shù)字信號轉(zhuǎn)換為位移(或直線位移)的機(jī)電執(zhí)行元件，每當(dāng)輸入一個(gè)脈沖時(shí)，轉(zhuǎn)軸便轉(zhuǎn)過一個(gè)固定的機(jī)械角度，他具有快速起停、精確步進(jìn)、沒有積累誤差且能直接接收數(shù)字信號的特點(diǎn)，在數(shù)字控制系統(tǒng)中得到

LED照明用恒流電源的實(shí)現(xiàn)

一、方案比較與選擇1 電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)方案方案一：采用反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的功率因數(shù)校正電路，優(yōu)點(diǎn)是將功率因數(shù)校正與電源變換器合二為一，可以大大減少電路的損耗，提高電路的整體效率，缺點(diǎn)是應(yīng)用在反激式電路的有源功率

DC/DC變換器中輸出濾波器的比較

摘要：輸出濾波器是DC/DC變換器中的重要組成部分，與變換器的動態(tài)性能、整機(jī)體積和成本等性能指標(biāo)密切相關(guān)。在滿足技術(shù)指標(biāo)的前提下，濾波元件的取值越小，對變換器整機(jī)性能的提高越有利，越能提高變換器的功率密度。

短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究

近年來隨著介觀物理和納米電子學(xué)對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發(fā)現(xiàn)散粒噪聲可以很好的表征納米器件內(nèi)部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結(jié)構(gòu)，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會

關(guān)于MOSFET的雙峰效應(yīng)量化評估研究

摘 要：介紹一種關(guān)于雙峰效應(yīng)(Double－Hump)的評估方法。通過對MOSFET的Id～Vg曲線的分析，雙峰效應(yīng)的程度可以用數(shù)字化評估。采取這種量化表征，細(xì)致地研究了雙峰效應(yīng)與摻雜濃度的關(guān)系。建立了MOS的Vt和Punch-throug

基于LabView8.5和PA96的壓電陶瓷致動器驅(qū)動電源

基于ICB1FL02G的高功率節(jié)能燈設(shè)計(jì)

本文探討了采用ICB1FL02G控制芯片實(shí)現(xiàn)高功率節(jié)能燈鎮(zhèn)流器的方法。采用該芯片實(shí)現(xiàn)的高功率節(jié)能燈電子鎮(zhèn)流器可以提供高功率因素(PF)、可編程的預(yù)熱過程、燈管壽命終了(EOL)保護(hù)，以及其它眾多保護(hù)功能，極大的提升了高功率節(jié)能燈的使用壽命和安全性，外圍電路的縮減使鎮(zhèn)流器的小型化和高可靠性也成為了可能。

運(yùn)算放大器可以替代比較器嗎?

許多人偶爾會把運(yùn)算放大器當(dāng)比較器使用。一般而言，當(dāng)您只需要一個(gè)簡單的比較器，并且您在四運(yùn)算放大器封裝中還有一個(gè)“多余”運(yùn)算放大器時(shí)，這種做法是可行的。